3 月 16 日讯，格罗方德与 Everspin 两家公司合作历史悠久，从最早的 40nm 的量产工艺，然后扩展到 28nm HKMG 和 22nm FD-SOI（22FDX）。

　　近日，双方宣布已将联合开发的自旋转矩（STT-MRAM）器件的制造，扩展至 12 nm FinFET 平台（简称 12LP）。

　　格罗方德通过这项合作能够利用已被广泛采用的 12nm 工艺来生产单独的 MRAM 芯片、或将之嵌入其它通过 12LP 技术制造的产品。如今，格罗方德已能够制造嵌入式的非容失性磁性随机存储器（eMRAM）。而 Everspin 单独的 256 Mb 和 1 Gb MRAM 器件，亦可通过 40 nm 和 28 nm 工艺量产制造。

　　通过将 STT-MRAM 缩小至 12 nm 制程，有助于双方进一步拉低 1 Gb 芯片成本。以经济高效的方式，生产更高容量的设备。尽管现有的 MRAM 芯片无法提供巨大的容量，但其在特定领域的应用仍相当受欢迎。Everspin 表示，该公司已向超过 1000 个客户出货 1.25 亿个单独的 MRAM 芯片。

　　此外，引用该公司的一份报告：到 2029 年，单独的 MRAM 器件销售额将达到 40 亿美元。随着对大容量 MRAM 产品需求的不断扩展，未来还需要用到更先进的工艺。格罗方德在其 12LP 平台（包括 12LP+）中增加了对 eMRAM 的支持，可极大地提升该制程节点的竞争地位，尤其是未来几年发布的主控 / 微控制器应用领域。

　　比如，群联（Phison）和华澜微电子（Sage）即将推出的一些企业级 SSD 主控，就会采用 Everspin 的 eMRAM 方案，而不是单独使用该器件。eMARM 有望取代当前普遍采用的嵌入式闪存（eFlash），以克服 NAND 存在的耐久度和性能等问题。

　　作为一种磁性存储元器件，MRAM 能够感测由薄壁隔开的两个铁磁膜的各向异性。由于不使用电荷或电流，其能够在现代制程节点的帮助下，实现更优秀的性能和耐久度。尽管 eMRAM 仍有其局限性，但在其它技术出现之前，这种兼顾静态（SRAM）和动态（DRAM）随机存储器特性的高度集成产品，仍然能够在未来几年内被各个厂商欣然应用于诸多设备。

　　格罗方德半导体股份有限公司(Global Foundries)是一家总部位于美国加州硅谷桑尼维尔市的半导体晶圆代工厂商, 成立于 2009 年 3 月  。格罗方德半导体股份有限公司由 AMD 拆分而来、与阿联酋阿布扎比先进技术投资公司(ATIC)和穆巴达拉发展公司(Mubadala)联合投资成立的半导体制造企业。

　　Everspin 是从飞思卡尔半导体公司分离出来的一家独立公司。公司总部与晶圆厂均设于美国亚利桑那州钱德勒(Chandler)市。2006 年，Everspin 推出业界第一款商业化 MRAM 产品，同时是全球第一家量产 MRAM 的供货商。今日，Everspin 目前的产品组合中拥有广泛的 MRAM 产品线，这些 MRAM 密度从 512kb 到 16Mb,并提供串行和并行运算方式，已广泛用在数据存储、工业自动化、游戏、能源管理、通讯、运输、和航空电子领域。