中国上海，2023年8月31日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L（X）封装的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，该产品采用东芝最新的^[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工业设备应用。该系列中五款额定电压为650V，另外五款额定电压为1200V，十款产品于今日开始批量出货。

　　新产品是东芝碳化硅MOSFET产品线中首批采用4引脚TO-247-4L（X）封装的产品，其封装支持栅极驱动信号源极端使用开尔文连接，有助于减少封装内源极线电感的影响，从而提高高速开关性能。与东芝目前采用3引脚TO-247封装的产品TW045N120C相比，新型TW045Z120C的开通损耗降低了约40%，关断损耗降低了约34%^[2]。这一改善有助于降低设备功率损耗。

　　使用SiC MOSFET的3相逆变器参考设计已在东芝官网发布。

　　东芝将继续扩大自身产品线，进一步契合市场趋势，并助力用户提高设备效率，扩大功率容量。

　　使用新型SiC MOSFET的3相逆变器

　　使用SiC MOSFET的3相逆变器

　　简易方框图

　　▲应用：

　　-开关电源（服务器、数据中心、通信设备等）

　　-电动汽车充电站

　　-光伏变频器

　　-不间断电源（UPS）

　　▲特性：

　　-4引脚TO-247-4L（X）封装：

　　栅极驱动信号源极端使用开尔文连接，可降低开关损耗

　　-第3代碳化硅MOSFET

　　-低漏源导通电阻×栅漏电荷

　　-低二极管正向电压：V_DSF＝-1.35V（典型值）（V_GS＝-5V）

▲主要规格：

　　注：

　　[1] 截至2023年8月

　　[2] 截至2023年8月，东芝测量值（测量条件：V_DD＝800V、V_GG＝+18V／0V、I_D＝20A、R_G＝4.7Ω、L＝100μH、T_a＝25℃）

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