《电子技术应用》
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基于体硅MEMS工艺的射频微系统冲击特性仿真研究*
电子技术应用
冯政森1,王辂1,曾燕萍1,杨兵1,祁冬2,王志辉2,张睿2
1.中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏 无锡214035;2.中国电子科技集团公司第十研究所,四川 成都610036
摘要: 高过载冲击试验成本高、周期长,同时失效检测手段较少,难以定位结构薄弱点。针对体硅工艺MEMS(Micro-electromechanical System)射频微系统,采用冲击响应谱与瞬态动力学方法,研究板级与试验条件下的高冲击载荷响应。仿真结果表明,该射频微系统能够承受高冲击过载,仿真结果可提前预判结构失效点,提高产品抗冲击可靠性。
中图分类号:TN403;TP212 文献标志码:A DOI: 10.16157/j.issn.0258-7998.234326
中文引用格式: 冯政森,王辂,曾燕萍,等. 基于体硅MEMS工艺的射频微系统冲击特性仿真研究[J]. 电子技术应用,2024,50(2):65-70.
英文引用格式: Feng Zhengsen,Wang Lu,Zeng Yanping,et al. Simulation study on impact characteristics of RF microsystem based on bulk silicon MEMS process[J]. Application of Electronic Technique,2024,50(2):65-70.
Simulation study on impact characteristics of RF microsystem based on bulk silicon MEMS process
Feng Zhengsen1,Wang Lu1,Zeng Yanping1,Yang Bing1,Qi Dong2,Wang Zhihui2,Zhang Rui2
1.The 58th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation, Wuxi 214035, China; 2.The 10th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation, Chengdu 610036, China
Abstract: The high overload impact test is costly and time consuming, and the failure detection means are few, so it is difficult to locate the weak points of the structure. In this paper the impact response spectrum and transient dynamics method are used to study the impact load response of a RF microsystem based on bulk silicon micro-electromechanical system(MEMS) at plate level and under experimental conditions. The simulation results show that the RF microsystem can bear a high impact load,which can predict the structural failure point so as to improve the impact reliability of product.
Key words : bulk silicon MEMS;RF microsystem;impact;response spectrum;transient dynamics;reliability

引言

航空航天设备的发展趋势是小型化、轻量化,同时需要高可靠性以适应强冲击与高过载环境,射频微系统相较于传统的射频类板卡产品,集成度高、质量轻、惯性小,非常适用于各类高速飞行体。在高速飞行系统中应用微系统技术, 能够有效缩小系统的体积、减轻系统的重量、提高系统的性能和可靠性[1]。


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作者信息:

冯政森1,王辂1,曾燕萍1,杨兵1,祁冬2,王志辉2,张睿2

1.中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏 无锡214035;2.中国电子科技集团公司第十研究所,四川 成都610036


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