2026年4月26日，借2026北京国际车展东风，深圳方正微电子有限公司（以下简称“方正微电子”）在2026汽车芯片产业创新生态交流日专场发布会上，正式宣布其车规级主驱SiC MOSFET芯片累计出货量突破3000万颗，并重磅推出全新一代车规级SiC MOSFET G3平台。此次双里程碑事件，标志着中国车规SiC芯片产业从追赶阶段迈入逐步领先阶段，方正微电子已跻身全球车规主驱SiC芯片第一梯队，为国内新能源汽车供应链安全提供了坚实支撑。

作为国内领先的第三代半导体IDM企业，方正微电子成立于2003年，2021年由深圳市重大产业投资集团全资收购后，聚焦SiC晶圆、器件、模块的研发、生产与销售，致力于打造全球领先的IDM企业。值得关注的是，方正微电子具备SiC IDM端到端完整能力，构建了从衬底合作、自建外延、芯片设计、晶圆制造，到模块设计、器件及模块封装、市场销售与技术服务的全链条体系，形成了“一站式”全场景解决方案能力，这也是其能够快速实现技术突破和规模化量产的核心支撑。经过五年深耕，公司已建成国内顶尖量级的车规SiC MOS实际量产线，FAB1、FAB2两条生产线合计年产能达30万片，其中FAB1生产线6英寸SiC晶圆月产能15000片，FAB2拥有一条月产能3000片的8英寸SiC中试线，以及一条月产能9000片的6/8英寸SiC量产线，为产品规模化供应提供了坚实保障。依托全链条IDM优势，公司在研发迭代、质量管控、成本控制上形成了独特竞争力，可实现从技术研发到量产落地的高效衔接，同时通过自主掌控核心环节，有效规避了供应链波动风险，保障了产品供应的稳定性与一致性。

此次出货量突破3000万颗，是方正微电子车规主驱SiC芯片产业化能力的重要印证。据方正微电子副总裁彭建华介绍，三年前车规主驱SiC芯片市场99%以上被国际厂商垄断，而截至2025年底，方正微电子车规主驱SiC芯片上车量已超过20万辆，在全球新能源汽车车规主驱SiC芯片市场中占据10%的份额，成为国内少数能与国际头部厂商同台竞技的企业。更值得关注的是，其3000万颗出货芯片实现上车零失效，通过了车规级3000小时可靠性验证——这一标准是行业通用要求的3倍，芯片预期寿命长达49年，彰显了产品的高可靠性优势。

深圳方正微电子有限公司副总裁 彭建华（图源：电子技术应用）

发布会上重磅推出的SiC MOSFET G3车规平台，更是成为全场焦点。该平台首产品为1200V 11mΩ规格，三个月后将推出1200V 9mΩ产品，同时同步开发1500V、750V、650V全系列产品，全面覆盖新能源汽车、光伏储能、数据中心等多场景应用需求。据介绍，G3平台产品在性能、可靠性、成本控制上实现三重突破，核心指标超越国际同类产品。

在高性能方面，G3平台产品表现突出：在4.99×4.99mm²芯片尺寸下，25℃时导通电阻仅为11.08mΩ，175℃高温环境下导通电阻控制在19.96mΩ，击穿电压BV>1500V（-50℃至175℃）；在业界标准25mm²芯片尺寸下，导通电阻低至11mΩ，较国际头部厂商同类产品提升20%以上，同等面积出流能力增加10%，可完美适配800V及1000V高压平台，满足新能源汽车高端化、智能化发展需求。

方正微SiC MOSFETG3车规平台产品特性（图源：方正微）

在成本控制上，G3平台通过技术优化实现重大突破，可实现模块从8并→6并→4并的升级，单电机芯片成本降低40%以上；同时，芯片开关损耗降低20%，散热体积降低15%，助力功率组体积减少30%，有效解决当前新能源汽车行业“降本增效”的核心痛点。“我们的目标是用4颗芯片替代行业主流的6颗芯片，在提升性能的同时，为客户带来实实在在的成本节约。”彭建华表示。

高可靠性则是G3平台的核心竞争力之一。该平台产品通过HTRB、HTGB、Pre-con uHAST等多项严苛测试，在线拦截设备较行业水平增加15%，短路耐量达2.4μs，不仅通过车规级3000小时加严可靠性验证，还实现了与传统安规电阻的拓扑兼容，可快速实现国产化，降低车企验证成本。据悉，一辆车企验证一款车规主驱芯片，投入成本高达数千万，G3平台的兼容性的将大幅缩短验证周期。

中国汽车芯片联盟联席理事长董扬在致辞中表示，中国汽车、动力电池产业已实现全球领先，SiC芯片作为下一代半导体的核心领域，有望成为中国芯片产业率先实现全球领先的突破口。方正微电子的技术突破和产能布局，为中国汽车芯片国产替代注入了强大动力，也彰显了中国半导体企业的创新实力。

中国汽车芯片联盟联席理事长 董扬（图源：电子技术应用）

方正微电子总裁吴伟涛表示，公司将持续秉持“探索一代、预研一代、开发一代、量产一代”的理念，加大研发投入，推动技术迭代，同时拓展光伏储能、数据中心等多领域应用，构建完善的产业生态。目前，方正微电子已进入光伏、储能、数据中心等领域的全球前10名关键客户，未来将进一步拓展国际市场，依托中国全产业链优势，与全球合作伙伴协同发展。

深圳方正微电子有限公司总裁 吴伟涛（图源：电子技术应用）

业内人士分析指出，随着新能源汽车800V高压架构渗透率快速提升，SiC芯片需求将持续爆发，行业正进入洗牌分化阶段。方正微电子凭借3000万颗的出货规模、G3平台的技术优势以及全产业链布局，有望在行业洗牌中进一步扩大市场份额，推动国内车规SiC芯片产业实现更高质量发展，保障国家新能源汽车供应链安全。

在发布会后的专访中，彭建华针对当前SiC行业面临的挑战及未来发展方向，向记者分享了专业见解。他表示，当前SiC行业已进入红海竞争，但市场分化显著，中低端领域产能过剩、价格战激烈，而高端车规主驱、高端光伏等场景供应仍偏紧张，国际厂商仍占据80%以上高端市场份额，这是国内SiC企业面临的核心挑战之一。同时，8英寸SiC晶圆成本居高不下、衬底缺陷率较高、工艺设备仍需完善，以及GaN在部分场景的替代竞争、车企自主研发芯片带来的市场格局变化，也给行业发展带来多重考验。此外，国内部分企业盲目跟风布局，缺乏核心技术积累，导致产能浪费和同质化竞争，进一步加剧了行业洗牌压力。

谈及行业未来发展方向，彭建华认为，SiC产业将呈现三大发展趋势：一是技术迭代持续加速，平面技术仍将主导车规主驱领域，沟槽技术将在特定场景实现突破，超级结等前沿技术将成为下一代研发重点，性能与可靠性的双重提升仍是核心方向；二是应用场景持续拓展，除新能源汽车主驱外，光伏、储能、数据中心领域将成为SiC芯片的重要增长极，其中数据中心供电侧SiC将占据主力地位，GaN则聚焦小功率高频场景，形成差异化竞争；三是行业集中度持续提升，未来3-5年内国内SiC企业将仅剩个位数，具备全链条IDM能力、技术优势和规模产能的头部企业将脱颖而出，形成“强者恒强”的竞争格局。

对于方正微电子的未来布局，彭建华透露，公司将持续深化IDM全链条优势，加大8英寸SiC工艺研发投入，力争2028年实现车规级8英寸SiC芯片成本与6英寸持平；同时推进沟槽技术工程产品上市，完善G3平台全系列产品布局，今年将推出第一代超级结产品，构建更完整的产品矩阵。在生态布局上，公司将继续与上下游企业、科研机构深度合作，推动材料、设备国产化，联合定义下一代芯片，同时加大国际市场拓展力度，配合国内车企出海，提升中国SiC芯片的全球竞争力，助力车规芯片国产化持续推进。