EDA与制造相关文章

核力创芯首批氢离子注入性能优化芯片产品交付

仅次于光刻、我国半导体制造核心技术突破，核力创芯首批氢离子注入性能优化芯片产品交付 国家电投表示，这标志着我国已全面掌握功率半导体高能氢离子注入核心技术和工艺，补全了我国半导体产业链中缺失的重要一环，为半导体离子注入设备和工艺的全面国产替代奠定了基础。

发表于：9/11/2024

SK海力士面向数据中心发布PEB110 SSD

9 月 11 日消息，SK 海力士（SK hynix）昨日（9 月 10 日）宣布成功开发适用于数据中心的高性能固态硬盘 PEB110 E1.S（以下简称 PEB110）。 PEB110 简介 PEB110 采用第五代 PCIe，带宽比现有第四代 (Gen4) 高一倍，数据传输速度达到了 32 GT/s（千兆传输 / 秒），由此性能较上一代产品提高 1 倍，能效提升 30% 以上。

发表于：9/11/2024

美光宣布单颗36GB HBM3E内存

9月10日消息，美光官方宣布，已经完成12-Hi堆栈的新一代HBM3E高带宽内存，单颗容量达36GB，比之前的8-Hi 24GB增大了足足一半。 它将用于顶尖的AI、HPC计算产品，比如NVIDIA H200、B200等加速卡，单卡就能轻松运行700亿参数的Llama2等大模型，不再需要频繁调用CPU，从而减少延迟、提高数据处理效率。 美光12-Hi 36GB HBM3E内存还有着9.2Gbps的超高速率，单颗就能提供超过1.2TB/s的惊人带宽，而且功耗比8-Hi版本更低。 台积电CoWoS封装技术制造，也就是NVIDIA H100、H200等普遍使用的技术，彼此可以轻松搭配。 支持完全可编程的MBIST(内存内置自测试)，可以模拟全速下的系统负载，方便快速完成测试验证，加快上市。 美光表示，12-Hi HBM3E已经提供给关键伙伴进行验证。

发表于：9/11/2024

合盛8英寸导电型4H-SiC衬底项目全线贯通

合盛8英寸导电型4H-SiC衬底项目全线贯通

发表于：9/11/2024

欧盟计划降低对自中国进口电动汽车拟议的加征关税

9 月 10 日消息，据彭博社报道，欧盟计划对从中国进口的电动汽车征收的附加关税进行小幅下调，特斯拉的拟议关税率将从 9% 降至略低于 8%。知情人士称，欧盟根据各公司提供的新信息做出上述调整。

发表于：9/11/2024

龙芯3B6600桌面处理器预计明年上半年流片

龙芯 3B6600 桌面处理器预计明年上半年流片，单核性能处于“世界领先行列”

发表于：9/10/2024

消息称其台积电首台High NA EUV光刻机远低于ASML3.5亿欧元报价

9月10日消息，继英特尔抢先于2024年4月宣布完成业界首台高数值孔径极紫外（High NA EUV）光刻机组装后，台积电竹科园区将于 9 月底前引进其首台高数值孔径极紫外光刻机，较外界所猜测的年底时间点提前一整个季度。 Digitimes 报道称，台积电首部 High NA EUV 设备的购入价格远低于原定的 3.5 亿欧元（注：当前约 27.55 亿元人民币）报价。 据称，台积电之所以可以享受折扣，主要是因为 ASML 给出了很大让步（毕竟台积电可是超级 VIP），全力协助台积电进机、调校与技术支援等，加速上线时间点，也就是此台主要目的为台积电试用。ASML 对此则表示，不评论单一客户。

发表于：9/10/2024

2024年二季度NAND Flash平均售价环比增长15%

2024年二季度NAND Flash平均售价环比增长15% 9月9日消息，市场研究机构TrendForce最新发布的报告显示，随着服务器终端库存调整接近尾声，加上AI刺激大容量存储产品需求，今年第二季NAND Flash价格持续上涨，但因PC和智能手机买方库存偏高，导致NAND Flash位元出货量环比下滑1%，平均销售单价环比增长15%，推动总营收环比增长14.2%至167.96亿美元。 随着NAND Flash出货量及价格的上涨，从第二季起所有NAND Flash供应商也已经回到了获利状态，在第三季产能扩大，以应对AI和服务器的强劲需求，不过PC和智能手机上半年销售预计仍不如预期，可能难以进一步推升NAND Flash出货量。TrendForce预计，第三季NAND Flash全产品平均销售单价将环比小幅增长5%~10%，位元出货量则因旺季不旺将至少环比下滑5%，整个NAND Flash产业营收大致与上一季度持平。

发表于：9/10/2024

消息称英特尔已将3nm以下制程全面交台积电代工

消息称英特尔已将 3 纳米以下制程全面交由台积电代工，全球裁员 15% 以求扭转颓势

发表于：9/9/2024

三星与台积电合作开发无缓冲HBM4 AI芯片

据报道，三星电子正与台积电合作开发下一代高带宽存储器HBM4人工智能（AI）芯片，以加强其在快速增长的AI芯片市场的地位。 在Semicon Taiwan 2024论坛上，台积电生态系统和联盟管理负责人Dan Kochpatcharin表示，两家公司正在开发无缓冲的HBM4芯片。 HBM对AI热潮至关重要，它比传统内存芯片提供了更快的处理速度。 HBM4是第六代HBM芯片，三星、SK海力士和美光科技等主要存储制造商计划最早明年为包括英伟达在内的AI芯片厂商大规模生产。 分析人士表示，如果三星和台积电合作开发无缓冲HBM4芯片，这将是双方在AI芯片领域的首次合作。在代工或合同芯片制造领域，三星是第二大厂商，与规模更大的竞争对手台积电激烈竞争。

发表于：9/9/2024

商务部回应荷兰宣布扩大光刻机管制

针对9月6日荷兰宣布将扩大光刻机的管制范围一事，商务部近日在发布会上对此进行了回应。 商务部发言人指出，近来，中荷双方就半导体出口管制问题开展了多层级、多频次的沟通磋商。荷方在2023年半导体出口管制措施的基础上，进一步扩大对光刻机的管制范围，中方对此表示不满。 近年来，美国为维护自身全球霸权，不断泛化国家安全概念，胁迫个别国家加严半导体及设备出口管制措施，严重威胁全球半导体产业链供应链稳定，严重损害相关国家和企业正当权益，中方对此坚决反对。

发表于：9/9/2024

夏普宣布进军电动汽车市场

夏普宣布进军电动汽车市场，将推出概念车 LDK+

发表于：9/9/2024

Tower与Adani投资100亿美元在印度建晶圆厂计划获批

Tower与Adani投资100亿美元在印度建晶圆厂计划获批

发表于：9/9/2024

传台积电亚利桑那州晶圆厂试产良率与南科厂相当

传台积电亚利桑那州晶圆厂试产良率与南科厂相当！ 9月8日消息，据彭博社引述消息人士的话报道称，台积电位于美国亚利桑那州的第一座晶圆厂在今年4月就已经开始基于4nm制程进行工程测试晶圆的生产，其良率已经与台积电位于中国台湾的南科厂良率相当。台积电表示，项目照计划进行，并且进展良好。

发表于：9/9/2024

荷兰政府从美国收回两款ASML光刻机的出口管制权

9月6日，荷兰政府今天发布了关于两款浸没式 DUV（深紫外光） 光刻机出口的最新许可要求，该规定将于9月7日正式生效。 根据更新后的许可要求，并根据美国出口管理条例 734.4.(a).(3)，ASML后续需要向荷兰政府而非美国政府申请出口许可，才能出货其 TWINSCAN NXT:1970i 和 1980i DUV 浸没式光刻系统。此前，荷兰的出口管制许可要求已适用于 TWINSCAN NXT:2000i 及后续 DUV 浸没式系统。ASML 的 EUV 系统的销售也需遵守许可要求。 ASML官方表示，认为这一新规主要是协调颁发出口许可证的方式，即由美国政府发放许可变更为由荷兰政府发放许可。 ASML在声明中指出，由于这是技术性调整，因此预计不会对公司2024年的财务前景，或在2022年11月投资者日传达的长期情景产生任何影响。

发表于：9/9/2024