EDA与制造相关文章 国内首个光子AI智能引擎在南京诞生 3 月 3 日消息，据南京市投资促进局消息，南京江北新区企业南京南智先进光电集成技术研究院有限公司（以下简称“南智光电”）联合南京知满科技等合作伙伴开发出国内首个光子AI智能引擎“OptoChat AI”，并已完成内部测试，计划 3 月正式上线，免费开放给业界使用。 发表于：3/3/2025 消息称台积电加速2nm先进制程落地美国 3月1日消息，据国外媒体报道称，为了应对美国的新政策，台积电正在加快自家的先进工艺制程落地美国。 发表于：3/3/2025 Intel 1000亿美元巨型晶圆厂宣布建设周期延期五年 3月2日消息，Intel近日调整了位于俄亥俄州New Albany的晶圆厂的建设周期规划，比原计划向后推迟至少5年，要到下一个十年才能看到了。 Intel在俄亥俄州的新工厂于2022年开工建设，分为两个阶段，一期工程Mod 1最初计划2025年建成，之后推迟到了2027-2028年，现在进一步推迟到了2030年完工，而投产时间在2030-2031年。 二期工程Mod 2的最新计划是2031年完工，2032年投产。 发表于：3/3/2025 国产EDA大厂芯华章官方回应人事大地震 芯片之母！国产EDA大厂芯华章大地震：CEO、CTO、COO全部换人 官方回应 发表于：3/3/2025 美光宣布 1γ DRAM 开始出货：引领内存技术突破，满足未来计算需求 2025 年 2 月 26 日，中国上海 — 美光科技股份有限公司（纳斯达克股票代码：MU）今日宣布，已率先向生态系统合作伙伴及特定客户出货专为下一代 CPU 设计的 1γ（1-gamma）第六代（10 纳米级）DRAM 节点 DDR5 内存样品。 发表于：2/28/2025 国内首条8英寸车规级碳化硅功率芯片规模化量产线正式通线 2月27日，三安光电与意法半导体在重庆合资设立的安意法半导体碳化硅晶圆厂正式通线。预计项目将在2025年四季度实现批量生产，这将成为国内首条8英寸车规级碳化硅功率芯片规模化量产线，项目规划全面达产后每周可以生产约1万片车规级晶圆。 发表于：2/28/2025 2024年四季度全球DRAM产业营收环比增长9.9% 2月27日消息，据市场研究机构TrendForce 最新调查显示，2024年第四季全球DRAM产业营收突破280亿美元，环比增长9.9%。由于服务器DDR5合约价上涨，加上HBM集中出货，全球前三大DRAM厂商营收皆持续环比增长。平均销售单价方面，多数应用合约价皆反转下跌，仅美系CSP增加采购大容量服务器DDR5，成为支撑价格继续上涨的主因。 分析各DRAM供应商2024年第四季营收状况，三星营收环比增长5.1%达112.5亿美元，尽管市占微幅下滑至39.3%，仍维持排名第一。由于PC OEM及手机业者执行库存去化，LPDDR4及DDR4出货快速萎缩，加上三星去年底才集中出货HBM产品，第四季位出货量呈环比下跌。 发表于：2/28/2025 传台积电拟投资AI芯片厂商FuriosaAI 2月27日消息，据韩国中央日报报导，晶圆代工龙头大厂台积电正在计划投资韩国人工智能芯片设计新创公司FuriosaAI。 FuriosaAI公司也于2月27日回应称，与台积电投资谈判自2024年第四季开始，也是FuriosaAI此次融资的一部分，是与Meta达成最新合并协议的独立交易。FuriosaAI与台积电旗下投资部门台积电全球（TSMC Global）正在讨论投资规模和条件，但尚未定案。 发表于：2/28/2025 SkyWater收购英飞凌美国8英寸晶圆厂 当地时间2025年2月26日，SkyWater公司与英飞凌达成协议，收购英飞凌位于美国德克萨斯州奥斯汀的200毫米（8英寸）晶圆厂（“Fab 25”）并签订相应的长期供应协议。 发表于：2/28/2025 三菱电机拟在华构建工业机器人完整供应链 2 月 27 日消息，据日经新闻今日报道，日本三菱电机将针对工业机器人等主力的工厂自动化业务调整中国的供应链。将缩小大部分产品和零部件从日本出口的体制，携手当地企业，采购低价位产品。鉴于美国新政府的举措，三菱将尽可能在中国国内构建完整供应链。 发表于：2/28/2025 中国20+nm成熟工艺芯片占全球28％ 2月27日消息，虽然我国在先进半导体工艺方面仍有一定差距，但是说起20nm及以上的成熟工艺，我国就谁也不怕了，凭借庞大的产能和超低的价格大杀四方，直接让西方企业惶恐不已。 发表于：2/28/2025 群联电子宣布携手Lonestar打造月球首座数据中心 2月27日消息，今天群联电子宣布，将携手Lonestar共同推动月球任务“Freedom Mission”，并成功发射登月。 Freedom Mission采用由SpaceBilt提供、并由3D打印的外壳，结合群联企业级Pascari SSD的极端环境耐用特性，打造适应太空严峻环境的储存解决方案。 发表于：2/28/2025 消息称SK海力士HBM4测试良率再创新高 2 月 27 日消息，韩媒 ETNews 昨日（2 月 26 日）发布博文，报道称 SK海力士的第 6 代 12 层堆叠高带宽内存 HBM4 测试良率已达 70%，为即将到来的量产阶段奠定了坚实基础，也预示着 SK 海力士在 HBM4 市场竞争中占据有利地位。 发表于：2/27/2025 三星计划到2030年实现1000层NAND 2 月 26 日消息，三星电子 DS 部门 CTO 宋在赫（송재혁）在上周于旧金山举行的国际固态电路会议（ISSCC）上发表主题演讲，并展示了其晶圆键合、低温蚀刻和钼应用等技术。据介绍，这些技术将从 400 层的 NAND 闪存技术开始应用，而且他还提到，“键合技术可用于（在 NAND 区域）实现 1000 多层（堆叠）”。 发表于：2/27/2025 美国拟施压盟友升级对华芯片出口管制 2月26日消息，据国外媒体报道称，美国最近与日本和荷兰会面，讨论限制两国半导体设备制造商东京电子（TOKYO ELECTRON）和阿斯麦（ASML）工程师对在华半导体设备提供维护服务，以扩大对中国获取先进技术的限制。 发表于：2/26/2025 «…69707172737475767778…»
