头条

  • 千万别误解功率因数
    经常有人问电源逆变器的功率因数应该是在怎么样的负载条件下测量的,阻性、容性、还是感性?其实这里边存在一个很大的理解误区,忽视这种误区可能会导致逆变器的生产厂家和使用厂家出现比较严重的分歧。
  • 非隔离电源你所不知道的优势
    你是不是认为所有工业现场系统的电源都应该使用隔离方案来提高可靠性呢?那你可能就走进了电源使用的误区了,或许非隔离电源方案更适合你,这里将为你一一揭晓。 对电源进行隔离的初衷是为了将电源的前级设备与后级设备隔离开来,即使是前级设备出了问题也不会损坏后级设备。但在工作环境良好或整个系统的地是共用的场合中使用隔离电源的意义就并不大了,此时可以就使用非隔离电源,其电路拓扑更简单,体积更小,效率极高并且具备短路保护、欠压保护等功能。以下是容易被大家小看的高性能电源方案。
  • 我国储能技术正向商业化初期过渡 竞争号角吹响
    10月11日,国家5部委联合发布《关于促进储能技术与产业发展的指导意见》(以下简称《指导意见》)。《指导意见》围绕能源改革的指导思想,提出“政府引导、企业参与”、“创新引领、示范先行”、“市场主导、改革助推”三个基本原则,制定了“研发示范向商业化初期过渡”、“商业化初期向规模化发展”的两个阶段性发展目标,提出了“推进储能技术装备研发示范”、“推进储能提升可再生能源利用水平应用示范”、“推进储能提升电力系统灵活性稳定性应用示范”、“推进储能提升用能智能化水平应用示范”和“推进储能多元化应用支撑能源互联网应用示范”五个重点任务,最后制定了“加强组织领导”、“完善政策法规”、“开展试点示范”、“建立补偿机制”、“引导社会投资”、“推动市场改革”和“夯实发展基础”七个保障措施。
  • 【Tech-Workshop】第二届(上海)电源半导体技术论坛
  • UPS技术专题
  • 20A LED 驱动器提供准确度为 ±3% 的满标度电流检测 以适合多种应用

最新资讯

  • 石墨烯电池或将智能手机带入新时代

    三星手机在全球手机市场很受欢迎,据报道,三星公司最近研发出石墨烯电池,充满电只要12分钟,电池容量增加了45%。这项新技术着实打击了其他手机行业。
    发表于:2017/12/4 5:00:00
  • 光伏“领跑者”计划持续推进

    近日,国家能源局正式确定2017年光伏发电领跑基地名单为:山西大同二期、山西寿阳、陕西渭南、河北海兴、吉林白城、江苏泗洪、青海格尔木、内蒙古达拉特、青海德令哈和江苏宝应共10个应用领跑基地和江西上饶、山西长治和陕西铜川共3个技术领跑基地。并要求应用领跑基地于2018年6月30日前全部开工建设,12月31日前全部容量建成并网;技术领跑基地于2019年3月31日前全部开工建设,6月30日前全部容量建成并网。 ​
    发表于:2017/12/3 5:00:00
  • 石墨烯电池成功研发 三星又走在世界前端

    在过去的几天里,三星率先开发石墨烯电池技术并申请了专利。三星的确是手机技术上的一大巨头,不得不说,这是手机历史上的一次重大突破。一直以来,随着中国的智能制造业的崛起,国产手机与国外品牌之间的竞争也越来越激烈,尤其是三星、华为和苹果之间。
    发表于:2017/12/3 5:00:00
  • 分布式光伏发展“破局”

    分布式光伏就近利用清洁能源,能源生产和消费就近完成,具有能源利用率高、污染排放低等特点,代表了当前能源发展的新方向和新形态。目前,分布式发电已取得较大进展,但仍受到市场化程度低、公共服务滞后、管理体系不健全等因素的制约。
    发表于:2017/11/30 5:00:00
  • 中国光伏农业职业教育集团成立

    第六届中国光伏农业高峰论坛暨中国光伏农业职业教育集团成立大会在济宁召开。会上,宣读了中国光伏农业职业教育集团第一届理事单位名单、理事成员名单,山东理工职业学院担任第一届理事长单位。
    发表于:2017/11/30 5:00:00
  • 中节能旗下光伏运营龙头,装机规模稳步增长

    中节能旗下专注光伏领域的领军企业。公司主要从事太阳能光伏电站的投资运营,以及太阳能电池组件的生产销售,控股股东中国节能环保集团公司(以下简称“中节能”)是国务院国资委监管的唯一一家以节能减排、环境保护为主业的中央企业。公司是中节能太阳能业务的唯一平台。
    发表于:2017/11/30 5:00:00
  • 中韩半导体战明年全面开打 三星突破石墨烯电池技术难题

    前不久京东方的“崛起”,令很多半导体企业开始紧张。中国拥有丰富的市场资源,开始在半导体发展路上开拓前行,令以半导体为产业支柱的韩国感受到愈来愈大的压力,毫无疑问,明年全球半导体市场将会有一场大战。
    发表于:2017/11/30 5:00:00
  • Power Integrations推出全新5A峰值电流门极驱动器, 可降低系统复杂度及成本

    美国加利福尼亚州圣何塞,2017年11月28日讯 – 中高压逆变器应用领域IGBT和MOSFET驱动器技术的领导者Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日推出SCALE-iDriver™ IC家族最新成员SID1102K —— 采用宽体eSOP封装的单通道隔离型IGBT和MOSFET门极驱动器。新器件具有5 A峰值驱动电流,在不使用推动级的情况下可驱动300 A开关器件;可以使用外部推动级以高性价比的方式将门极电流增大到60 A峰值。该器件可同时为下管和上管推动级MOSFET开关提供N沟道驱动,从而降低系统成本、减小开关损耗和增大输出功率。
    发表于:2017/11/29 20:03:00
  • 集成智能——第1部分:EMI管理

    智能集成电机驱动器和无刷直流(BLDC)电机可以帮助电动汽车和新一代汽车变得更具吸引力、更可行及更可靠。
    发表于:2017/11/29 19:38:00
  • Semtech发布业界首款基于LoRa技术的物联网应用一次性微纳型电子标签

    美国加利福尼亚州Camarillo市,2017年11月29日—高性能模拟和混合信号半导体产品及先进算法领先供应商Semtech(Nasdaq:SMTC)日前宣布推出其全新的微纳型电子标签参考设计,这种一次性超薄低功耗电子标签可以被集成到各种一次性系统中或者粘贴到资产上,并由一次特定事件触发后进行通信。基于LoRa的微纳型电子标签可以部署在众多物联网(IoT)行业中,从而利用事件数据来做出更明智的决策。
    发表于:2017/11/29 19:31:17
  • Siemens 收购 Solido Design Automation,以增强对 IC 市场的承诺

    Siemens 已签订一项协议,将收购总部位于加拿大萨斯卡通的 Solido Design Automation公司,这是一家面向全球半导体公司供应对变化性可感知的设计和特征提取软件的领先供应商。目前,已有 40 多家大型公司在其生产中使用 Solido 的机器学习产品,使他们能够设计、验证和制造比以往更具竞争力的产品。收购 Solido 将能进一步扩展 Mentor 的模拟/混合信号 (AMS) 验证产品系列,从而帮助客户解决汽车、通信、数据中心运算、网络、手机和物联网等应用领域中 IC 设计和验证所面临的日益严峻的挑战。交易条款尚未披露。Siemens 计划在 2017 年 12 月初完成交易。
    发表于:2017/11/28 20:42:34
  • ROHM的小型大功率低阻值分流电阻器系列产品阵容新增“GMR100系列” 优异的散热性与更高的可靠性,非常适用于车载/工业设备

    全球知名半导体制造商ROHM面向车载、工业设备及大型家电等大功率应用的电流检测用途,开发出大功率低阻值分流电阻器“GMR100系列”并投入量产。 本产品已于2017年4月开始出售样品(195日元/个:不含税),于2017年10月开始以月产100万个的规模正式量产。前期工序和后期工序的生产基地均为ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰国)
    发表于:2017/11/28 20:23:36
  • 莱姆电子亮相EP Shanghai 2017助力未来城市构建

    中国上海,2017年11月28日-国内电力行业中规模最大、最具影响力的品牌电力展——上海国际电力设备及技术展览会近期在上海新国际博览中心盛大举行,上海国际电力展(简称EP Shanghai)始于1986年,由中国电力企业联合会主办,是国内唯一获得UFI国际认证之专业电力展。莱姆电子携多款高品质产品亮相,为电力安全、智能电网等未来城市生活基础领域带来高性能解决方案,并与广大业内人士进行面对面交流研发新思路,助力中国电力和智能电网的高效发展。
    发表于:2017/11/28 20:14:27
  • 探索高压输电——第2部分:电压源换流器

    VSC目前已成为首选实施对象,原因如下:VSC具有较低的系统成本,因为它们的配站比较简单。VSC实现了电流的双向流动,更易于反转功率流方向。VSC可以控制AC侧的有功和无功功率。VSC不像LCC那样依赖于AC网络,因此它们可以向无源负载供电并具有黑启动能力。使用绝缘栅双极晶体管(IGBT)阀,则无需进行晶闸管所需的换流操作,并可实现双向电流流动。
    发表于:2017/11/27 20:25:00
  • Vishay新款25V N沟道功率MOSFET有效提升电源效率和功率密度

    宾夕法尼亚、MALVERN — 2017年11月27日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新的25V N沟道TrenchFET® Gen IV功率MOSFET---SiRA20DP,这颗器件在10V的最大导通电阻为业内最低,仅有0.58mΩ。Vishay SiliconixSiRA20DP具有最低的栅极电荷,导通电阻还不到0.6mΩ,使栅极电荷与导通电阻乘积优值系数(FOM)也达到最低,可使各种应用提高效率和功率密度。
    发表于:2017/11/27 20:13:00