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一种工作在亚阈区超低功耗带隙基准源的设计
所属分类：参考设计
上传者：aet
文档大小：270 K

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文档介绍：基于RFID标签芯片的低功耗要求，设计了一种超低功耗的带隙基准电压源，电路中的主要MOS管都工作在亚阈值状态。在spectre环境下仿真表明，当电源电压为3 V～7 V，温度在-30 ℃～+120 ℃变化时，输出基准电压为1.8 V±0.001 V。电源电压抑制比（PSRR）为69.5 dB，并且电路工作电流维持在1.5 μA～7 μA的范围内。
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