头条 华为发表半导体演进新定律 摩尔定律面临物理极限和经济效益双重挑战，全球芯片行业迫切需要探索新的演进路线。5月25日，电气电子工程师学会（IEEE）在上海举办的国际电路与系统研讨会上，华为公司发表了韬(τ)定律，提出以“时间 (τ) 缩微”替代“几何缩微”，作为半导体与电子系统演进的新指导原则。通过逻辑折叠等创新技术，持续压缩信号传播时延，不断提升晶体管密度，从而实现半导体与电子系统的持续演进。 最新资讯 中国集成电路产业规模首破千亿 背后隐忧仍存 近年来，我国集成电路制造业得到了快速发展，年产值已突破千亿元大关。受利好因素影响，国内正迎来新一轮集成电路投资热潮。但专家表示，集成电路产业核心技术受制于人、产品市场占有率较低、配套的设备与材料发展不足等短板犹待破解。 发表于：2017/10/12 把握新机遇，4G/5G时代下新型元器件与材料面临的挑战 随着4G在全球实现规模商用，5G技术已成为全球移动通信产业的研发重点。5G不仅自身具有巨大的产业价值，还能带动芯片、器件、材料、软件等多种基础产业的快速发展。5G将与互联网、物联网以及工业、交通、医疗等行业应用融合地更加紧密，进而推动新一轮的产业创新浪潮。在三网融合建设中，无论是网络设备还是终端设备都离不开各种元器件。 发表于：2017/10/11 晶体管简介 严格意义上讲，晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等。晶体管有时多指晶体三极管。 发表于：2017/10/11 电动自行车用电机控制器原理与维修（A） 电动车用电机控制器近年来的发展速度之快，使人难以想象，操作上越来越“傻瓜”化，而显示则越来越复杂化。比如，电动车车速的控制已经发展到“巡航锁定”；驱动方面，有的同时具有电动性能和助力功能，如果转换到助力状态，借助链条张力测力器，或中轴扭力传感器，只要用脚踏动脚蹬，便可执行助力或确定助力的大小。这期本刊开始给您讲述控制器的知识，让您对控制器有一个更全面的了解。 发表于：2017/10/11 mosfet的驱动和保护 电力场效应管是单极型压控器件，开关速度快。但存在极间电容，器件功率越大，极间电容也越大。为提高其开关速度，要求驱动电路必须有足够高的输出电压、较高的电压上升率、较小的输出电阻。另外，还需要一定的栅极驱动电流。 发表于：2017/10/11 mosfet的安全工作区 正向偏置安全工作区，如图4所示。它是由最大漏源电压极限线I、最大漏极电流极限线Ⅱ、漏源通态电阻线Ⅲ和最大功耗限制线Ⅳ，4条边界极限所包围的区域。图中示出了4种情况：直流DC，脉宽10ms，1ms,10μs。它与GTR安全工作区比有2个明显的区别：①因无二次击穿问题，所以不存在二次击穿功率PSB限制线；②因为它通态电阻较大，导通功耗也较大，所以不仅受最大漏极电流的限制，而且还受通态电阻的限制。 发表于：2017/10/11 mosfet的动态特性和主要参数 动态特性主要描述输入量与输出量之间的时间关系，它影响器件的开关过程。由于该器件为单极型，靠多数载流子导电，因此开关速度快、时间短，一般在纳秒数量级。Power MOSFET的动态特性。 发表于：2017/10/11 mosfet的静态特性和主要参数 Power MOSFET静态特性主要指输出特性和转移特性，与静态特性对应的主要参数有漏极击穿电压、漏极额定电压、漏极额定电流和栅极开启电压等。 发表于：2017/10/11 MOSFET结构和工作原理 电力场效应晶体管种类和结构有许多种，按导电沟道可分为P沟道和N沟道，同时又有耗尽型和增强型之分。在电力电子装置中，主要应用N沟道增强型。 发表于：2017/10/11 MOSFET选择策略详解 在70年代晚期推出MOSFET之前，晶闸管和双极结型晶体管（BJT）是仅有的功率开关。BJT是电流控制器件，而MOSFET是电压控制器件。在80年代，IGBT面市，它仍然是一种电压控制器件。MOSFET是正温度系数器件，而IGBT则不一定。MOSFET是多数载流子器件，因而是高频应用的理想选择。 发表于：2017/10/11 <…3419342034213422342334243425342634273428…>
