中国电子技术标准化研究院回应“充电宝3C认证全面失效”

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中韩半导体战明年全面开打 三星突破石墨烯电池技术难题

前不久京东方的“崛起”，令很多半导体企业开始紧张。中国拥有丰富的市场资源，开始在半导体发展路上开拓前行，令以半导体为产业支柱的韩国感受到愈来愈大的压力，毫无疑问，明年全球半导体市场将会有一场大战。

发表于：11/30/2017

Power Integrations推出全新5A峰值电流门极驱动器， 可降低系统复杂度及成本

美国加利福尼亚州圣何塞，2017年11月28日讯 – 中高压逆变器应用领域IGBT和MOSFET驱动器技术的领导者Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出SCALE-iDriver™ IC家族最新成员SID1102K —— 采用宽体eSOP封装的单通道隔离型IGBT和MOSFET门极驱动器。新器件具有5 A峰值驱动电流，在不使用推动级的情况下可驱动300 A开关器件；可以使用外部推动级以高性价比的方式将门极电流增大到60 A峰值。该器件可同时为下管和上管推动级MOSFET开关提供N沟道驱动，从而降低系统成本、减小开关损耗和增大输出功率。

发表于：11/29/2017

集成智能——第1部分：EMI管理

智能集成电机驱动器和无刷直流（BLDC）电机可以帮助电动汽车和新一代汽车变得更具吸引力、更可行及更可靠。

发表于：11/29/2017

Semtech发布业界首款基于LoRa技术的物联网应用一次性微纳型电子标签

美国加利福尼亚州Camarillo市，2017年11月29日—高性能模拟和混合信号半导体产品及先进算法领先供应商Semtech（Nasdaq：SMTC）日前宣布推出其全新的微纳型电子标签参考设计，这种一次性超薄低功耗电子标签可以被集成到各种一次性系统中或者粘贴到资产上，并由一次特定事件触发后进行通信。基于LoRa的微纳型电子标签可以部署在众多物联网（IoT）行业中，从而利用事件数据来做出更明智的决策。

发表于：11/29/2017

Siemens 收购 Solido Design Automation，以增强对 IC 市场的承诺

Siemens 已签订一项协议，将收购总部位于加拿大萨斯卡通的 Solido Design Automation公司，这是一家面向全球半导体公司供应对变化性可感知的设计和特征提取软件的领先供应商。目前，已有 40 多家大型公司在其生产中使用 Solido 的机器学习产品，使他们能够设计、验证和制造比以往更具竞争力的产品。收购 Solido 将能进一步扩展 Mentor 的模拟/混合信号 (AMS) 验证产品系列，从而帮助客户解决汽车、通信、数据中心运算、网络、手机和物联网等应用领域中 IC 设计和验证所面临的日益严峻的挑战。交易条款尚未披露。Siemens 计划在 2017 年 12 月初完成交易。

发表于：11/28/2017

ROHM的小型大功率低阻值分流电阻器系列产品阵容新增“GMR100系列” 优异的散热性与更高的可靠性，非常适用于车载/工业设备

全球知名半导体制造商ROHM面向车载、工业设备及大型家电等大功率应用的电流检测用途，开发出大功率低阻值分流电阻器“GMR100系列”并投入量产。 本产品已于2017年4月开始出售样品（195日元／个：不含税），于2017年10月开始以月产100万个的规模正式量产。前期工序和后期工序的生产基地均为ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.（泰国）

发表于：11/28/2017

莱姆电子亮相EP Shanghai 2017助力未来城市构建

中国上海，2017年11月28日－国内电力行业中规模最大、最具影响力的品牌电力展——上海国际电力设备及技术展览会近期在上海新国际博览中心盛大举行，上海国际电力展（简称EP Shanghai）始于1986年，由中国电力企业联合会主办，是国内唯一获得UFI国际认证之专业电力展。莱姆电子携多款高品质产品亮相，为电力安全、智能电网等未来城市生活基础领域带来高性能解决方案，并与广大业内人士进行面对面交流研发新思路，助力中国电力和智能电网的高效发展。

发表于：11/28/2017

探索高压输电——第2部分：电压源换流器

VSC目前已成为首选实施对象，原因如下：VSC具有较低的系统成本，因为它们的配站比较简单。VSC实现了电流的双向流动，更易于反转功率流方向。VSC可以控制AC侧的有功和无功功率。VSC不像LCC那样依赖于AC网络，因此它们可以向无源负载供电并具有黑启动能力。使用绝缘栅双极晶体管（IGBT）阀，则无需进行晶闸管所需的换流操作，并可实现双向电流流动。

发表于：11/27/2017

Vishay新款25V N沟道功率MOSFET有效提升电源效率和功率密度

宾夕法尼亚、MALVERN — 2017年11月27日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新的25V N沟道TrenchFET® Gen IV功率MOSFET---SiRA20DP，这颗器件在10V的最大导通电阻为业内最低，仅有0.58mΩ。Vishay SiliconixSiRA20DP具有最低的栅极电荷，导通电阻还不到0.6mΩ，使栅极电荷与导通电阻乘积优值系数(FOM)也达到最低，可使各种应用提高效率和功率密度。

发表于：11/27/2017

智能化分段线性恒流LED驱动电源设计

传统的开关型LED驱动电源中含有大电解电容和高频变压器，导致LED驱动电源的体积庞大且使用寿命较短。分段式线性恒流驱动电源可以避免使用大电解电容和高频变压器。设计了一种新型的分段线性恒流LED驱动电源，利用整流之后的高压脉动直流电压的变化，自适应地控制LED灯珠分阶段恒流工作。除整流桥和采样电阻外，整个驱动电路可实现单芯片集成，有效缩小了体积、延长了寿命。电路中还设计了智能拓展端口，可实现智能化控制。基于华虹宏力0.5 μm 700 V BCD工艺对电路进行了仿真验证，在0～311 V周期脉动高电压输入条件下，驱动芯片分四阶段恒流工作，输出最大恒定电流可达97.17 mA，在恒流阶段，电流的瞬态精度误差仅为0.031%。仿真结果表明，该LED驱动电路各指标参数均满足预期要求。

发表于：11/27/2017