| 一种12 GHz的高增益低噪声放大器 | |
| 所属分类：技术论文 | |
| 上传者：aetmagazine | |
| 文档大小：572 K | |
| 标签： GaAs pHEMT LNA 共电流两级结构 | |
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| 文档介绍：通过分析GaAs pHEMT器件特性设计了一款两级高增益、低功耗的低噪声放大器。采用两级结构提高低噪声放大器的增益，设计了一种共用电流结构，降低了放大器的功耗，同时降低电路噪声。输入、输出匹配均采用LC阶梯匹配网络，具有良好的匹配性，并使用CAD软件对电路进行设计优化。电路仿真结果表明，在中心频率12 GHz下实现了增益为27.299 dB、噪声系数为0.889 dB、S11和S22均小于-10 dB的性能，工作带宽为600 MHz。此低噪声放大器作为12 GHz频段的接收机的前端设计研究，具有一定意义。 | |
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