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一种基于片上变压器隔离的高CMTI编解码电路
所属分类：技术论文
上传者：wwei
文档大小：4451 K
标签：编解码电路高CMTI 开关键控
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文档介绍：随着第三代宽禁带半导体材料的发展，GaN和SiC等新型功率开关管得到了广泛的应用，新型功率管较快的开关速度使得驱动器开关的瞬态电压dV/dt最高至200 V/ns，造成功率管的误开启。为提高隔离驱动的共模瞬变抗扰度（Common Mode Transient Immunity，CMTI），设计了一种结构简单的高CMTI的编解码电路，采用OOK（On-Off Krying）调制结构，编码电路采用负跨导振荡器结构将信号的高电位编码为差分振荡信号，解码电路采用共模点提升电路将差分信号的共模点稳定在VDD/2，仅通过比较器就可将输入信号还原。仿真结果表明，该编解码电路输入信号的速度可达143 Mb/s，差分振荡信号频率为644 MHz，典型传输延时为1.2 ns，应用在某款隔离驱动芯片中，经过实测CMTI最高可达400 V/ns。
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