头条 2025年超半数手机SoC基于5nm及以下制程 3 月 24 日消息，Counterpoint 昨日表示，2025 年超过一半的全球智能手机 SoC 采用了 5nm 及以下工艺（注：以下称为“先进制程”）。随着苹果、高通、联发科今年各自推出 2nm 旗舰 AP 和中低端产品线的节点升级，这一比例有望上探 60%。 最新资讯 运放参数的详细解释和分析15—开环增益Aol 理想运放的开环增益Aol是无穷大的。这是我们在模电课本上学到的运放的一条基本知识。但现实总是残酷的，残酷到所有的运放的开环增益都不是无穷大，它是一个有限值。 发表于：2013/7/4 运放参数的详细解释和分析14—轨至轨输入_TI的领先技术 Part13中讲到了常用的轨至轨运放是采用NMOS与PMOS差分输入级相并联的方法。这一方法巧妙的解决了输入信号达不到两个电源轨的问题。在当今轨至轨输入的运放中得到广泛的应用。 发表于：2013/7/4 运算参数的详细解释和分析13—轨至轨输入（rail to rail input） 随着单电源运放的广泛的运用，运放的轨至轨输入（railtorailinput）成为一个时髦的词。现在大部分低电压单电源供电的运放都是轨至轨输入的。 发表于：2013/7/4 运算参数的详细解释和分析12—输入电容Cin的测量 通常情况下我们可以在运放的datasheet中得到运放的输入电容Ccm和Cdif。这些值通常是典型值。 发表于：2013/7/4 运算参数的详细解释和分析11—输入阻抗和输入电容 下图形象的说明了运放的输入端阻抗的特性。主要有两个参数，输入阻抗和输入电容。对于电压反馈型运入，输入阻抗主要由输入级的决定，一般BJT输入级的运放。的共模输入阻抗会大于40MΩ。 发表于：2013/7/4 运算参数的详细解释和分析10— 放大电路直流误差（DC error）的影响因素 让我们再来认真看一下上一小节中提到的公式：下面我们一项一项的来看看他们吧。（1）Vos,输入失调电压，大家都熟，不多废话。 发表于：2013/7/4 运算参数的详细解释和分析9—放大电路直流误差（DC error） 在本系列主题的part1-part8中详细分析了运放的主要直流参数。我们分析它们的原因就是，它们会给我们的电路引入直流误差。本贴的主要目的是把影响运放直流误差的原因都找出来，并且说明了它是怎样影响的。 发表于：2013/7/4 运放参数的详细解释和分析8—共模抑制比CMRR的影响 上一小节简单介绍了，共模抑制比的定义，以及引起它的原因。下面就介绍一下，它的影响。本系列贴子的目的是说清楚运放参数的定义，分析引起这个问题的原因，介绍明白这个参数对电路的影响。 发表于：2013/7/4 运放参数的详细解释和分析7—共模抑制比CMRR 运放的共模拟制比，是常被大家关注的一个运放参数，尤其是在差分放大器和仪表放大器中。但这一小节只讨论运放的共模抑制比，以及CMRR带来给运放的误差。关于差分放大器和仪表放大器，以后另文讨论。 发表于：2013/7/4 运放参数的详细解释和分析-part6，电源抑制比AC-PSRR 上面一节讨论的是直流DC电源抑制比。实际的应用电路中，运放的电源电压可能是不变的。下面就来分析另一个关键的参数，运放交流电源抑制比AC-PSRR。 发表于：2013/7/4 <…4400440144024403440444054406440744084409…>
