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机构称发现“全球最先进”3D NAND存储芯片

2023-10-26
来源:集微网

10月25日,TechInsights发布题为《中国再次实现突破!全球最先进的3D NAND存储芯片被发现》的文章,称在一款消费电子产品中发现“世界上最先进”的3D NAND存储芯片,它来自长江存储。TechInsights表示,这是其看到的首个具有超过200个活跃字线的四层存储单元(QLC)3D NAND芯片。

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据介绍,TechInsights 在2023年7月推出的致态固态硬盘(SSD)中发现由长江存储制造的232层QLC 3D NAND芯片。这种新的QLC芯片具有19.8 Gb/mm2的商用NAND产品中最高的比特密度。

该文指出,此次发现5个关键要点:

1. 长江存储再次证明他们为3D NAND TLC和QLC应用开发的Xtacking混合键合技术的价值。Xtacking 3.0 232L采用BSSC技术,提高良率和性能,降低成本。

2. 尽管受到制裁后困难重重,包括该公司受限于向苹果供应基于中国生产的iPhone零部件,以及被列入美国的实体名单,但长江存储仍在开发最先进的技术。

3. 近期存储市场的低迷,以及许多内存制造商专注于节省成本的举措,可能为长江存储提供机遇,使其具有领先的更高比特密度的3D Xtacking NAND。

4. 本次发现超越同样在开发232层QLC 3D NAND器件的美光和英特尔。值得注意的是,三星目前的战略是专注于V9 3D NAND的TLC和QLC,因此没有在236层(V8)3D NAND上开发QLC。

5. 越来越多的证据表明,中国正在努力克服贸易限制、建立本土半导体供应链的势头比预期的要成功。(校对/赵碧莹)


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