先进工艺芯片填充冗余金属后的时序偏差分析及修复 | |
所属分类:技术论文 | |
上传者:aetmagazine | |
文档大小:487 K | |
标签: 先进工艺 物理设计 冗余金属 | |
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文档介绍:在芯片物理设计的完成阶段,为了满足设计规则中金属密度要求,需要填充冗余金属。增加的金属层会产生额外的寄生电容,导致芯片的时序结果恶化。40 nm以上的工艺节点中,这些额外增加的寄生电容对于时序的影响在0.12%左右,这个时序偏差甚至比静态时序分析与SPICE仿真之间的误差还小,在芯片设计时通常忽略它。然而在使用FinFET结构的先进工艺节点中,这个时序偏差必须要进行修复。以一款FinFET结构工艺的工业级DSP芯片为实例,使用QRC工具对比了芯片填充冗余金属前后寄生电容的变化;使用Tempus工具分析了芯片时序结果发生偏差的原因;最后提出了一种基于Innovus平台的时序偏差修复方法,时序结果通过签核验证,有效提高了时序收敛的效率。 | |
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