头条

  • 电装 (DENSO) 采用赛普拉斯车用 MCU 和闪存
    加利福尼亚州圣何塞,2017 年 7月 26 日 —— 赛普拉斯半导体公司 (纳斯达克代码:CY)今日宣布全球汽车零部件及系统供应商电装 (DENSO) 公司采用赛普拉斯 Traveo? 车用 MCU 系列和 FL-S Serial NOR 闪存,为 丰田2017 款凯美瑞汽车仪表盘提供先进的图形显示功能。
  • 武汉将建成国内首个新能源车无线充电站
    厦门新页科技与武汉普天新能源联合宣布,双方将开展合作,在湖北武汉共同建设电动汽车无线充电示范站——武汉新页普天充电站。
  • 基于CC430的急转弯会车提示预警系统
    针对道路中急转弯处因盲区会车的信息采集、信息反馈、信息处理失误而引发交通事故的问题,设计了新型实用的急转弯会车提示预警系统。以TI MSP430MCU和CC1101低功耗多通道无线射频内核的CC430F5137芯片为控制核心,由地磁传感器检测采集车辆信息,系统中的两块大面积电子显示屏给出信息告知预警, 前方车况及时反馈到来向和去向的驾驶人员。道路实地模拟测试表明该系统对于车辆在弯道处的良好检测率,弥补了传统警示标志的不足。急转弯盲区道路安全解决方案在智能化交通上具有广阔的应用前景。
  •  电装 (DENSO) 采用赛普拉斯车用 MCU 和闪存
  • 使得你事半功倍的强大动力 – RUTRONIK POWER简介
  • 欧司朗购入激光雷达公司LeddarTech部分股份

最新资讯

  • 东芝加码上千亿投资3D NAND WD是否参与仍在协议

    东芝(Toshiba)11日发布新闻稿宣布,关于目前已在四日市工厂厂区内兴建的3D架构NAND型快闪存储器(Flash Memory)专用厂房「第6厂房」投资案,旗下子公司「东芝存储器(TMC;Toshiba Memory Corporation)」原先是计划在2017年度内(截至2018年3月底为止的会计年度)砸下1950亿日元资金,用于导入「第6厂房」第1期工程所需的生产设备以及用于第2期工程的厂房兴建,不过因来自服务器、数据中心的3D NAND需求扩大,故TMC将在2017年度内加码投资1100亿日元用于第1期工程的设备导入,也就是说2017年度内对「第6厂房」的投资金额将扩大至3050亿日元。
    发表于:2017/10/13 15:56:12
  • CMOS管和双极晶体管的区别(JFET类型)

    即使是夹住氧化膜(O)的金属(M)与半导体(S)的结构(MOS结构),如果在(M)与半导体(S)之间外加电压的话,也可以产生空乏层。再加上较高的电压时,氧华膜下能积蓄电子或空穴,形成反转层。将其作为开关利用的即为MOSFET。
    发表于:2017/10/13 15:47:39
  • 基于magnum 2 测试系统的NAND FLASH VDNF64G08RS50MS4V25-III的测试技术研究

    摘要:NAND FLASH在电子行业已经得到了广泛的应用,然而在生产过程中出现坏块和在使用过程中会出现坏块增长的情况,针对这种情况,本文介绍了一种基于magnum II 测试机的速测试的方法,实验结果表明,此方法能够有效提高FLASH的全空间测试效率。另外,针对NAND FLASH的关键时序参数,如tREA(读信号低电平到数据输出时间)和tBERS(块擦除时间)等,使用测试系统为器件施加适当的控制激励,完成NAND FLASH的时序配合,从而达到器件性能的测试要求。
    发表于:2017/10/13 10:57:15
  • 中国制造2025添百亿专项资金 物联网等25项任务入围

    《经济参考报》记者日前从工信部、发改委、财政部等权威部门获悉,我国将根据《中国制造2025》总体规划,继续以专项资金等方式支持中国制造2025重点项目发展。近期工信部已确立了制造业创新能力建设、产业链协同能力提升、产业共性服务平台、新材料首批次应用保险4个方面共25项重点任务,并正在协同相关部委和组织进行项目遴选工作。
    发表于:2017/10/13 9:46:00
  • 华为三星互诉专利战新进展 三星62%专利无效

    截至目前,2016年三星在中国市场起诉华为专利侵权的共计16件专利中,已有15件有了专利有效性的复审决定,共计10件被宣告全部无效,无效占比高达62.5%。
    发表于:2017/10/13 6:00:00
  • 成功复制中国模式 线上三年小米在印度站稳脚跟

    据印度《经济时报》消息,中国智能手机制造商小米旨在印度复制其在中国的发展模式——成为一家互联网服务公司。一位小米的高管表示,公司将会通过货币化等一系列金融和娱乐服务手段在短期内取得印度手机厂商中的领导地位。
    发表于:2017/10/13 6:00:00
  • 苹果开售2017款15英寸MacBook Pro官翻机

    苹果于今日为官翻机产品线加入了带 Touch Bar 的 2017 款 15 英寸 MacBook Pro 机型,这也是该系列自 2017 年 6 月发布以来首次进入官方翻新机商店。
    发表于:2017/10/13 6:00:00
  • 罗兰贝格:中国有望成为自动驾驶领域的领导者

    罗兰贝格近日发布《汽车行业颠覆性数据探测》第二期报告,基于对全球汽车行业的关键指数监测,为汽车行业在颠覆性变革环境中的决策提供支持与指导。报告发现,全球汽车行业向无人驾驶出行方向的发展速度有一定提升。中国汽车行业的颠覆性变革进程排名由第三升至第二位,有望继成功抢占电动汽车市场先机之后成为自动驾驶领域的领导者。
    发表于:2017/10/13 0:00:00
  • 特斯拉尚未正式启动“完全自动驾驶功能”

     据electrek网站报道,一年前,特斯拉推出了第二代自动驾驶硬件Autopilot 2.0,以及“增强的Autopilot自动驾驶仪”和“完全自动驾驶功能”程序包。
    发表于:2017/10/12 21:46:13
  • 电动汽车电池未来前景如何

     随着汽车行业的多元化,环境问题的日益严峻,能源多样化战略渐成发展共识的背景下,新能源汽车行业发展迅速。动力电池作为电动汽车的心脏,是新能源汽车产业发展的关键,在一系列政策措施支持和各方努力下,我国动力电池产业发展成绩显著。那未来动力电池前景如何呢?
    发表于:2017/10/12 21:44:55
  • 除了快马加鞭 新能源汽车产业亟需破除哪些顽疾?

    近段时间,关于“双积分”政策的讨论在业界甚嚣尘上、沸沸扬扬。
    发表于:2017/10/12 21:43:36
  • MOS管和三极管做开关用法比较

    MOSFET的管压降,一般指的是静态压降。只要知道导通阻抗和通过的电流的话用上面的公式就可以计算出来压降是多少了。
    发表于:2017/10/12 15:27:05
  • 如何正确选择MOS管

    在一些电路的设计中,经常会使用MOS管,正确选择MOS管是硬件工程师经常遇到的问题,更是很重要的一个环节,MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本,了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应用,会避免很多问题。
    发表于:2017/10/12 15:19:34
  • MOS管的几种效应

    1 沟道长度调制效应(channel length modulation) MOS晶体管中,栅下沟道预夹断后、若继续增大Vds,夹断点会略向源极方向移动。导致夹断点到源极之间的沟道长度略有减小,有效沟道电阻也就略有减小,从而使更多电子自源极漂移到夹断点,导致在耗尽区漂移电子增多,使Id增大,这种效应称为沟道长度调制效应。
    发表于:2017/10/12 14:56:40
  • MOS管 基础知识与应用

    MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。
    发表于:2017/10/12 14:29:21