汽车电子最新文章 电动汽车的碳化硅(SiC)功率和GaN功率 “拯救我们的地球，让地球远离污染！”这是世界各地的科学家和有识之士对降低温室气体排放的一致呼声。由石化燃料引擎驱动的汽车是罪魁祸首，虽然推动汽车行进的替代技术有很多种，但目前唯一可行的方案是——电力(Electricity)。 发表于：9/28/2018 氮化镓VS碳化硅 谁是最具潜力第三代宽禁带半导体材料？ 进入21世纪以来，随着摩尔定律的失效大限日益临近，寻找半导体硅材料替代品的任务变得非常紧迫。在多位选手轮番登场后，有两位脱颖而出，它们就是氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)——并称为第三代半导体材料的双雄。 发表于：9/28/2018 从产品到应用，GaN（氮化镓）将成为功率半导体市场发展新动力 根据Yole Développement（以下简称YD）公司近期发布的《功率GaN：外延、器件、应用及技术趋势-2017版》报告，2016年，全球功率GaN市场规模已经达到了1400万美元。相对于总规模达到惊人的300亿美元的硅功率半导体市场，功率GaN市场还显得很微不足道。不过，功率GaN技术凭借其高性能和高频解决方案适用性，短期内预计将展现巨大的市场潜力。 发表于：9/28/2018 一张图看懂氮化镓GaN功率元件市场发展趋势 2016年氮化镓(GaN)功率元件产业规模约为1,200万美元，研究机构Yole Développemen研究显示预计到2022年该市场将成长到4.6亿美元，年复合成长率高达79%。包括LiDAR、无线功率和封包追踪等应用，尤其是高阶低/中压应用，GaN技术是满足其特定需求的唯一现有解决方案。 发表于：9/28/2018 功率半导体国产替代，势在必行 功率半导体器件（PowerSemiconductorDevice） 又称为电力电子器件，是电力电子装置实现电能转换、电路控制的核心器件。 主要用途包括变频、整流、变压、功率放大、功率控制等，同时具有节能功效。功率半导体器件广泛应用于移动通讯、消费电子、新能源交通、轨道交通、 工业控制、 发电与配电等电力、电子领域，涵盖低、中、高各个功率层级。 发表于：9/28/2018 SiC功率半导体器件需求年增29%，X-FAB计划倍增6英寸SiC产能 Yole预计，全球SiC功率半导体市场将从2017年的3.02亿美元，快速成长至2023年的13.99亿美元，年复合成长率达29%。为满足客户对高性能功率半导体器件日益增长的需求，X-FAB计划将6英寸SiC工艺产能提高一倍。 发表于：9/28/2018 碳化硅芯片需求激增 电动车及车载设备是主要驱动力 据外媒报道，随着电动车及其他车载系统的增长，碳化硅功率半导体市场内的产品需求也随之激增。 发表于：9/28/2018 英飞凌首推车用碳化硅产品：肖特基二极管 据外媒报道，在今年的纽伦堡PCIM欧洲展会上，英飞凌（Infineon）推出了首款车用碳化硅产品，肖特基（Schottky）二极管，并为其新创了一个品牌名CoolSiC。此二极管专为混合动力车和电动车中的车载充电器（OBC）应用而设计。 发表于：9/28/2018 CMRS2018：未来，碳化硅宽禁带半导体发展将呈爆发态势！ 2018中国材料大会分会场会议交流于2018年7月14日继续如火如荼的进行。仪器信息网编辑为读者带来有关半导体行业发展的一场报告——《碳化硅半导体技术与产业发展态势》。 发表于：9/28/2018 氮化镓IC如何改变电动汽车市场 ? 随着全球能源结构向低碳能源和节能运输转移，节能汽车产业面临着挑战。如今，整个电动汽车(EV)市场的增长率已经超过传统内燃机(ICE)汽车市场增长率的10倍。预计到2040年，电动汽车市场将拥有35%的新车销量份额，对于一个开始批量生产不到10年的市场而言，这样的新车销售份额是引人注目的。 发表于：9/28/2018 在高频直流—直流转换器内使用650V碳化硅MOSFET的好处 本文评测了主开关采用意法半导体新产品650V SiC mosFET的直流-直流升压转换器的电热特性，并将SiC碳化硅器件与新一代硅器件做了全面的比较。测试结果证明，新SiC碳化硅开关管提升了开关性能标杆，让系统具更高的能效，对市场上现有系统设计影响较大。 发表于：9/28/2018 温旭辉：SiC器件在新能源汽车中的应用 2017年10月18日，2017中国国际节能与新能源汽车展览会在北京国家会议中心召开。展会同期举行了2017(第六届)中国互联网+新能源汽车产业发展高峰论坛。 发表于：9/28/2018 SiC肖特基二极管的产业、技术现状与前景 新一代宽禁带半导体材料由于优异的潜在材料性能，在功率器件中得到了广泛应用，十几年来一直是电力电子领域的研发热点。其中碳化硅(SiC)功率器件的技术成熟度最高，几年前率先进入实用商品化阶段后，保持了较高的增长势头，吸引了产业界很多关注。相关新能源技术和产业(包括太阳能、风电、混合及纯电动汽车等)的发展更加速了SiC功率器件产业的成长。市场预测，该行业在今后的几年中将保持高达38%的年增长率。 发表于：9/28/2018 半导体碳化硅单晶材料的发展 本文回顾了半导体碳化硅(SiC)单晶材料的发展史，简单介绍了半导体SiC单晶材料的结构与性质，对物理气相传输法(PVT)制备SiC单晶做了描述，详细介绍了SiC单晶中的微管、多型和小角晶界等重要缺陷，同时对SiC单晶材料的发展趋势进行了展望。 发表于：9/28/2018 碳化硅功率半导体器件中的肖特基接触 由于半导体材料的逸出功小于金属材料，当金属与半导体材料接触时，半导体材料中的电子能够挣脱电子核的束缚流入金属，从而在半导体材料表面形成一个由带正电的离子组成的空间电荷区。与PN结类似，正是由于空间电荷区势垒的存在使得肖特基结具有整流特性。 发表于：9/28/2018 «…659660661662663664665666667668…»
