头条 Imec在铁电存储器研究方面取得突破 在2026年IEEE / JSAP超大规模集成电路技术与电路研讨会上，作为全球领先的先进半导体技术研究与创新中心，imec展示了铁电存储器研究的两项进展，重点将铁电电容器和铁电场效应晶体管作为新兴候选材料，以实现低压工作和高密度集成。 最新资讯 ASML台积电与imec三方合作推进2D材料晶体管开发 6月17日消息，在本周举行的2026年IEEE/JSAP超大规模集成电路（VLSI）技术与电路研讨会上，imec携手光刻解决方案大厂ASML与晶圆代工大厂台积电，共同发布了一套创新、稳健且可扩充的12英寸晶圆整合技术路径，用于基于2D材料的n型与p型场效晶体管（FET）。 发表于：2026/6/18 基于Wreal model的数模混合验证的平台实现方法 目前集成电路的模拟电路在数字验证期间大多采用行为级模型（Behavior Model）的形式进行基本的连接性的验证。但随着当今世界在集成电路方面的电路的复杂度越来越高，规模越来越大，SoC或者MCU集成的模拟模块也越来越多，越来越复杂，数模验证的复杂度剧增。大部分公司对于数模交互的功能、时序等只能等到回片测试才能验证设计的正确性。阐述了一种基于Wreal model的数模混合验证的方法，用来实现数模交互的大部分功能的可验证性，提升验证的完备性，以及完成数模电路间时序的验证等。 发表于：2026/6/17 一种小型化机载记录组件设计 针对目前飞行器智能化及信息化进程推进尤其是无人机越来越多的应用，对机载设备的尺寸重量要求越来越严格，机载数据存储设备成本高、功能单一、体积和重量大的矛盾越来越严峻。针对这一现状，设计和开发了一种小型机载记录组件平台。平台设计采用一体化设计思想，将存储记录做到普通电子盘的尺寸大小，既满足存储、浏览、回放、管理数据的能力，又可以进行数据分析功能。系统采用国产化FMQL10S400为主处理器，完成小型化设计，通过测试和仿真达到了体积小、功耗低、热耗散低的要求，满足机载应用场景，可满足有人和无人等不同场景下应用要求。 发表于：2026/6/17 全球最强芯片散热技术诞生 极端发热控温100℃内 6月16日消息，据报道，韩国科学技术院（KAIST）科研团队成功研发出芯片内置超高效液冷散热技术。该技术在2000W/cm²的极端发热工况下，仍可将芯片核心温度控制在100℃以内，制冷性能系数（COP）达到106000，是2020年《自然》期刊刊载的全球最佳纪录（约10000）的十倍，且仅需传统顶尖散热方案1/10的泵送功耗。 发表于：2026/6/17 中科曙光发布新一代通用高性能计算平台 6月15日，中科曙光发布新一代通用高性能计算平台。该平台以国产百核级通用CPU为核心，通过“算存网”全栈协同优化，整体规格首次达到国际厂商旗舰级水平，实现了国产通用计算性能的历史性突破。 发表于：2026/6/16 AMD宣布收购MEXT：让闪存变身DRAM以破解数据中心内存墙 2026年6月15日，AMD正式宣布收购AI驱动内存优化技术领域的先驱公司MEXT。在AI模型、数据分析和高性能计算工作负载规模持续爆炸式增长的背景下，内存已成为制约数据中心性能与成本的关键瓶颈。此次收购是AMD为解决这一行业难题所投下的一枚关键棋子，旨在通过颠覆性的软件技术，重塑数据中心的成本结构。 发表于：2026/6/16 特尔英伟达首款联合芯片2028年Q1正式落地 6月16日消息，据Erdi Özüağ最新透露，英特尔和英伟达联合开发的Serpent Lake Soc芯片预计将于2028年第一季度亮相，如果计划不变，在CES 2028上即可看到正式发布。 发表于：2026/6/16 我国成功研制出三维多层片上电容 6月12日消息，据上海证券报今日报道，湖北江城实验室近期在电容关键技术上取得重大突破，成功研制出三维多层片上电容，电容密度突破每平方毫米 1000 纳法。 发表于：2026/6/15 由激光写入的磁存储材料切换数据提速千倍 据最新一期《应用物理快报》报道，日本量子科学技术研究开发机构研究团队开发出可由激光直接写入的新型磁性存储材料，其数据切换速度可达传统电流驱动磁存储器的约1000倍，有望用于未来AI芯片和高速信息系统，同时可降低数据中心能耗。 发表于：2026/6/15 大疆在美国起诉影石 指控Luna相机侵犯专利 6月12日消息，据外电报道，两家中国公司大疆和影石在美国大打出手。DJI已就其新款Luna云台相机对Arashi Vision Inc.（以Insta360品牌运营）提起两起专利诉讼。其中一起诉讼指控其侵犯两项外观设计专利，另一起诉讼指控其侵犯四项实用新型专利。 发表于：2026/6/12 <12345678910…>
