头条

  • 基于精确网络模型的CRLH-TL简化设计
  • 基于Profibus-DP总线的位移传感器设计
  • 基于双核DSP的被动声探测系统设计

最新应用方案

  • 基于节点编码感知的机会转发路由协议

    针对现有考虑节点编码机会的编码感知路由协议ExCAR(a coding-aware routing protocol termed extended coding aware routing)在无线链路不稳定的情况下转发节点集内的节点在计算编码机会时可能产生误判,以及在转发节点集内选择最优编码节点时需要交换大量的数据包缓存信息会导致较大的端到端时延和网络开销等问题,提出一种适用于多跳无线网络的节点编码感知机会转发路由协议NAOFP(node network coding aware opportunistic forwarding routing protocol)。
    发表于:2017/10/18 15:05:00
  • 一种认知智能电网中频谱接入策略选择机制

    针对智能电网中频谱资源短缺问题,认知无线电技术被引入到智能电网中,构建认知智能电网。然而,认知无线网络中频谱资源的不确定和智能电网中节点通信环境的不确定性直接影响到系统性能。
    发表于:2017/10/18 13:56:00
  • 基于FPGA的LMS自适应滤波器设计

    提出一种基于LMS(Least Mean Square)自适应算法的滤波方法,介绍该方法在低频信号滤波上的应用及在FPGA平台上实现。传统数字滤波器FIR、IIR滤波器针对不同的系统和干扰信号,其滤波参数不固定。
    发表于:2017/10/17 11:54:00
  • 密集WiFi网络环境网络分配矢量优化与性能分析

    IEEE 802.11协议利用RTS/CTS帧交换来设置设备的网络分配矢量(NAV)。现有NAV方案未考虑密集部署场景,可能存在误清除的情况。
    发表于:2017/10/17 11:42:00
  • mos管和三极管相比优缺点?

    场效应管是电压控制电流源,控制电压和电流属于不同的支路,因而电压的求解一般不难,进而根据漏极电流表达式来求出电流值,然后进行模型分析,求出跨导和输出电阻. 而三极管要先建立模型,然后进行电路分析,求解过程特别是计算很复杂,容易出错; 总体而言,我觉得场效应管的分析要比三极管简单一些.
    发表于:2017/10/16 15:10:09
  • IGBT模块工作原理以及检测方法

    IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写,IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,它融和了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点,又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点,其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用,在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。
    发表于:2017/10/16 14:43:51
  • 双极性晶体管

    因为BJT有三个电极,所以存在相应的三个不同的击穿电压值:BVcbo,BVceo和BVebo;这三个击穿电压实际上也就是对应于BJT的三个反向截止电流(Icbo,Iceo和Iebo)分别急剧增大时的电压。
    发表于:2017/10/16 14:03:42
  • 晶体管是怎样制造出来的

    晶体管是二极管、三极管、场效应管等元器件的统称。它是一种用来对电路信号进行处理的元件,当然电路光有晶体管不行,还得要其他元件配合才能完成一定的电路功能。下面我就来谈谈晶体管的制造过程:
    发表于:2017/10/16 13:52:45
  • 基于参考信号接收功率预测和负载的切换算法

    针对密集异构网络中用户更容易发生频繁切换的问题,提出了一种基于参考信号接收功率(Reference Signal Received Power,RSRP)预测和负载的自适应切换算法,它不仅从用户的角度考虑了RSRP,而且从网络的角度考虑了基站的负载,同时还针对切换过程中用户的移动性和信道的时变性对RSRP产生的影响,对RSRP进行预测,从而使用户切换到更加合适的目标基站。
    发表于:2017/10/16 11:38:00
  • 基于跨平台的实时数据处理系统的设计

    设计实现了一款实时数据处理系统,是SCADA(数据采集与监视控制系统)的数据核心。
    发表于:2017/10/16 11:30:00
  • CMOS管和双极晶体管的区别(JFET类型)

    即使是夹住氧化膜(O)的金属(M)与半导体(S)的结构(MOS结构),如果在(M)与半导体(S)之间外加电压的话,也可以产生空乏层。再加上较高的电压时,氧华膜下能积蓄电子或空穴,形成反转层。将其作为开关利用的即为MOSFET。
    发表于:2017/10/13 15:47:39
  • 对消处理技术在宽带频谱感知中的应用研究

    在高斯噪声背景假设条件下,能量检测的频谱感知性能最优且易于工程实现,但在非高斯噪声背景下,其感知性能大大下降甚至无效。
    发表于:2017/10/13 10:52:00
  • 热电堆型总辐射传感器设计与温漂误差修正

    总辐射是气象探测、太阳能资源利用等领域中的一种重要测量参数。针对环境温度会影响总辐射测量准确度的问题,提出了一种基于热电效应的总辐射传感器设计,利用计算流体动力学方法对该传感器探头进行了流-固耦合传热分析。
    发表于:2017/10/13 10:43:00
  • MOS管的几种效应

    1 沟道长度调制效应(channel length modulation) MOS晶体管中,栅下沟道预夹断后、若继续增大Vds,夹断点会略向源极方向移动。导致夹断点到源极之间的沟道长度略有减小,有效沟道电阻也就略有减小,从而使更多电子自源极漂移到夹断点,导致在耗尽区漂移电子增多,使Id增大,这种效应称为沟道长度调制效应。
    发表于:2017/10/12 14:56:40
  • MOS管参数解释

    MOSFET管是FET的一种,可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,一般主要应用的为增强型的NMOS管和增强型的PMOS管,所以通常提到的就是这两种。
    发表于:2017/10/12 14:49:22