工业自动化最新文章 恩智浦与英伟达携手推出面向先进物理AI的创新方案 美国加利福尼亚州圣何塞——2026年3月17日——恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.（纳斯达克股票代码：NXPI）宣布推出创新机器人解决方案，提供可靠、安全的实时数据处理与传输以及先进网络连接能力 发表于：2026/3/17 弥合带宽缺口，高性能AI推理如何受益于GDDR7？ 在过去两年中，AI模型规模惊人地增长了410倍，而同期内存带宽仅提升约一倍。这种巨大反差导致显著的“内存鸿沟"——内存子系统正日益成为制约AI性能的瓶颈，限制了先进处理器的潜力发挥。 发表于：2026/3/17 聚焦物理智能 ADI亮相NVIDIA GTC 2026 NVIDIA GTC 2026大会于3月16日重返圣何塞举办，Analog Devices, Inc. (ADI)携最新成果参展，呈现物理智能为机器人领域带来的革新。 发表于：2026/3/17 ASML布局先进封装设备领域 着手研发混合键合机台 3 月 16 日消息，韩媒 The Elec 当地时间本月 13 日报道称，行业人士向其透露 ASML 正着手开发混合键合设备，其合作伙伴包括 EUV 光刻机磁悬浮系统组件供应商 Prodrive 和 VDL-ETG。容。 发表于：2026/3/17 消息称三星半导体劳资纠纷升级 芯片部门罢工风险加剧 3 月 16 日消息，据 Sammyguru 报道，三星半导体业务正面临爆发重大劳资纠纷的风险，其芯片部门罢工正在成为现实。一位知名半导体行业专家近日对三星管理层与工会之间的谈判表达了担忧。与此同时，三星手机部门正陷入危机。 发表于：2026/3/17 Littelfuse推出CPC1343G OptoMOS®固态继电器 伊利诺伊州罗斯蒙特，2026年3月17日 - Littelfuse公司 （NASDAQ：LFUS） 是一家多元化的工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。 发表于：2026/3/17 我们打造了一款“软件定义”的锁相放大器 这是一套开放的IP，能够将PXI R系列、FlexRIO甚至示波器“变身”为高性能数字锁相放大器。 发表于：2026/3/17 莱迪思携手EXOR International和TrustiPhi推出网络韧性参考套件 中国，上海——2026年3月16日——低功耗可编程领域的领导者，莱迪思半导体（NASDAQ: LSCC）今日宣布携手EXOR International和TrustiPhi合作开发了一款网络韧性参考套件，旨在助力工业和边缘设备制造商加速安全系统设计。 发表于：2026/3/17 从纳米进军埃米 台积电1nm工艺加速落地 台积电去年拿下了全球晶圆代工市场70%的份额，而且先进工艺可以说遥遥领先其他友商，当前量产的最新工艺是2nm，但是1nm工艺也在路上了。 发表于：2026/3/17 德州仪器 (TI) 扩展微控制器产品组合及软件生态系统 集成 TinyEngine™ NPU 的新型 MCU 加入德州仪器 (TI) 全面的 AI 硬件、软件及工具组合，助力工程师将智能技术部署到各种应用上。TI 正在将 TinyEngine NPU™ 集成到其整个微控制器产品组合中，包括通用型以及高性能实时 MCU。 发表于：2026/3/16 又一家成熟制程晶圆代工大厂宣布涨价 世界先进表示，自2025年起，因为应对客户同比增长的需求，大幅增加了产能投资。然而，半导体设备采购、原物料、能源、贵金属等价格不断上涨，人力与运输等成本亦持续攀升，为维持公司健康运营，以符合客户未来持续成长的产能需求，公司必须寻求客户理解与支持，共同吸收上升的成本。 发表于：2026/3/16 特斯拉巨型AI芯片超级工厂Terafab七天内破土动工 3月15日消息，据路透社报道称，特斯拉首席执行官埃隆·马斯克日前正式宣布，备受瞩目的特斯拉自主芯片制造项目——“Terafab”超级工厂，将于七天内正式启动建设，旨在彻底解决其自动驾驶系统及人形机器人业务面临的算力瓶颈。 发表于：2026/3/16 曝英伟达突然审计三星HBM4芯片封装产线 3 月 14 日消息，据韩媒 Business Korea 昨天报道，英伟达近期突袭访问三星电子半导体生产基地，批评力度号称“前所未有”。市场观察人士对此认为，英伟达意图通过此举在下一代 HBM 供货谈判中创造有利地位，属惯用伎俩。 发表于：2026/3/16 ASML营收创纪录仍计划裁员1700人 3月15日消息，荷兰芯片设备制造商阿斯麦（ASML）在公布全年营收创下327亿欧元（注：现汇率约合2587.64亿元人民币）纪录的同时，宣布计划裁减1700个管理岗位。至今已过去约七周，其员工仍不清楚自己是否会失业。 发表于：2026/3/16 三星宣布全球首发量产HBM4内存 三星宣布全球首发量产HBM4内存，并计划在下一代HBM4E中将内存工艺升至1c级，基底芯片直接采用自研2nm工艺，以取代当前HBM4的4nm方案；升级后发热、能效及芯片利用率预期显著改善，定制版预计年中推出。SK海力士同步推进定制版HBM4E，基底芯片拟转用台积电3nm工艺。伴随Exynos 2600量产，三星2nm产线月产能将翻倍至4万片晶圆，特斯拉已追加订单。 发表于：2026/3/16 <12345678910…>
