EDA与制造相关文章 铜柱倒装封装技术面临怎样的清洗挑战？ 当Bump（凸点）与Bump之间的间距小于150个微米时，使用锡球连接晶片与基板的工艺方式明显遇到瓶颈，这时，具有优秀散热能力的铜柱工艺在众多可行性中脱颖而出，不仅拥有卓越的电迁移性能，更高的I/O密度，而且相比金，在成本上有不可比拟的优势。 发表于：2023/11/30 速石科技新一代芯片研发平台带来一站式服务 近几年，我国集成电路领域收获了前所未有的热度，相关企业数量快速增长，速石科技也是其中一员。速石科技的新一代芯片研发平台为IC设计生产厂商提供一站式解决方案，助力企业降本增效，缩短芯片研发周期。 发表于：2023/11/24 奎芯科技： Chiplet赛道先行者 IP是IC产业分工下的永恒刚需，IP市场空间广阔，据预测，2026年全球半导体IP市场将达110亿美元，其中接口IP将达30亿美元。而IP市场供需失衡，国产化率低，不足10%，国产IP产业拥有巨大发展空间。 发表于：2023/11/23 芯行纪：攻坚新一代EDA产品的排头兵 本次ICCAD，众多EDA厂商醒目登场，芯行纪就是其中重要的一员。作为近几年创立的本土EDA厂商，芯行纪有哪些独门秘籍？如何看待本土EDA企业的突破之路？芯行纪科技有限公司资深技术副总裁邵振作了深入介绍。 发表于：2023/11/23 以工艺窗口建模探索路径：使用虚拟制造评估先进DRAM电容器图形化的工艺窗口 持续的器件微缩导致特征尺寸变小，工艺步骤差异变大，工艺窗口也变得越来越窄[1]。半导体研发阶段的关键任务之一就是寻找工艺窗口较大的优秀集成方案。如果晶圆测试数据不足，评估不同集成方案的工艺窗口会变得困难。为克服这一不足，我们将举例说明如何借助虚拟制造评估 DRAM 电容器图形化工艺的工艺窗口。 发表于：2023/11/23 日本Resonac宣布在美国建先进封装和材料研发中心 11月22日，日本半导体材料制造商Resonac宣布，将在美国硅谷建立一个先进半导体封装和材料研发中心。 发表于：2023/11/23 消息称台积电考虑在日本建设第三工厂，瞄向 3nm 芯片制造 据知情人士消息，台积电已告知供应链合作伙伴，称其正考虑在日本熊本县建设第三座芯片工厂，生产先进 3 纳米芯片，项目代号台积电 Fab-23 三期。 发表于：2023/11/21 2023硅片制造风云：21个项目、348GW硅棒、硅片产能将落地 据“草根光伏”粗略统计，2023年硅棒、硅片环节将有348GW的产能落地（含试投产项目）。 发表于：2023/11/16 ITEC推出RFID嵌体贴片机，速度和精度均刷新业内记录 位于荷兰奈梅亨ITEC的ADAT3 XF Tagliner刷新了业内嵌体贴片机的最高速度和最高精度贴装记录。 该贴片机每小时可贴装48,000颗产品，而位置精度和旋转精度优于9微米和0.67°，在1 Σ ，相较其他贴片设备速度快3倍，精度高30%。 发表于：2023/11/15 三星计划投资10万亿韩元用于采购ASML EUV光刻机 消息称三星计划向ASML进口更多ASML极紫外（EUV）光刻设备，ASML将在五年内提供总共 50 套设备。 发表于：2023/11/15 电子电路创新发展大会暨产业链成果展示会在深圳召开 11月7日， 由中国电子电路行业协会CPCA主办的2023 电子电路创新发展大会暨产业链成果展示会在深圳机场希尔顿逸林酒店隆重召开。 发表于：2023/11/10 现代汽车、起亚与英飞凌签署功率半导体长期供货协议 【2023 年 11 月 7日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）与现代汽车和起亚签署了碳化硅（SiC）和硅（Si）功率半导体长期供货协议。英飞凌将建设并保留向现代/起亚供应碳化硅及硅功率模块和芯片的产能直至 2030 年。现代/起亚将出资支持这一产能建设和产能储备。 发表于：2023/11/8 佳能CEO谈最新纳米压印光刻机：不能卖到中国 佳能公司计划将其新芯片制造设备的定价仅为ASML Holding NV最好的光刻机成本的一小部分，寻求在目前在中美科技竞争中发挥核心作用的尖端设备领域取得进展。 发表于：2023/11/6 新思科技与Arm持续加速先进节点定制芯片设计 加利福尼亚州桑尼维尔，2023年11月1日 –新思科技（Synopsys, Inc.，纳斯达克股票代码：SNPS）近日宣布，携手Arm扩大合作，为Arm Neoverse™ V2平台和Arm Neoverse计算子系统（CSS）等全新Arm®技术提供优化的IP和EDA解决方案。新思科技已加入“Arm全面设计”（Arm Total Design）生态系统，将充分利用其全球领先的技术和专业知识、Synopsys.ai™全栈式AI驱动型EDA全面解决方案，以及新思科技接口、安全和芯片生命周期管理IP，助力共同客户加快基于Arm CSS解决方案的开发。基于双方三十多年的紧密合作关系，新思科技与Arm进一步扩大合作范围，帮助共同客户能够以更低的成本、更小的风险和更快的上市时间快速开发专用芯片。 发表于：2023/11/2 新思科技携手台积公司简化多裸晶系统复杂性，推出面向台积公司N3E工艺的“从架构探索到签核” 统一设计平台和经验证的UCIe IP • 新思科技3DIC Compiler集成了3Dblox 2.0标准，可用于异构集成和完整的“从架构探索到签核”完整解决方案。 • 新思科技 UCIe PHY IP在台积公司N3E工艺上实现了首次通过硅片的成功（first-pass silicon success），可提供低延迟、低功耗和高带宽的芯片间连接。 • UCIe PHY IP与3DIC Compiler的结合将有效优化多裸晶系统设计，能够以更低的集成风险实现更高的结果质量。 发表于：2023/10/31 «12345678910…»
