EDA与制造相关文章 Flip Chip QFN封装互连结构对器件电热性能的影响 四方扁平无引脚(QFN)封装在半导体领域应用广泛，其中引线键合(WB)QFN和倒装芯片(FC)QFN是两种主要的QFN封装类型。该文首先通过仿真对比FC-QFN与WB-QFN寄生参数性能，其次研究封装互连结构铜柱对器件的寄生参数和热阻的影响。结果表明，FC-QFN相较WBQFN封装，其寄生参数得到显著的改善；通过增加铜柱的尺寸和降低铜柱的高度，器件内部的寄生参数和热阻均可得到改善。 发表于：2026/10/20 面向电子板卡导热垫填充间隙的测量与工艺优化 为解决电子板卡中散热器与印制电路板间导热垫填充间隙的高精度测量问题，该研究提出了一种基于最小二乘法的工件间隙测量方法及系统。该系统可同步精确测量散热器与印制电路板(PCB)间的真实间隙，经量块校准测量系统测量精度达到±0.2 μm。基于该测量系统，对3类典型电子板卡的芯片分别测量其间隙，匹配最佳导热垫厚度，构建芯片与其对应散热器的精准填充工艺。并在最优导热垫厚度的基础上，设立分级压实工艺，以提升填充质量。实验结果表明：优化后导热垫填充间隙稳定，压缩率可控；界面热阻降低36.2 %；芯片热阻变化率不大于 2.1 %，散热均匀性提升。该方法适配多芯片布局电子板卡量产，为解决电子板卡级导热界面工艺优化提供了可靠的技术方案。 发表于：2026/10/20 英特尔向FCC申请禁令豁免外国AGV机器人 10 月 20 日消息，据彭博社报道，英特尔公司已向美国联邦通信委员会（FCC）申请豁免近期一项针对境外先进机器人的禁令，称其需要持续使用这类对美国半导体制造至关重要的“小众”设备。 发表于：2026/10/20 三星电子计划2027年全面进军硅光子学 10 月 19 日消息，韩媒 MTN 当地时间 16 日报道称，三星电子计划 2027 年全面进军硅光子学 (SiPh) 领域，首先利用 12 英寸技术为客户代工光子集成电路 (PIC)，后续则将扩展到 PIC-EIC 整合、光封装领域。 发表于：2026/10/20 俄罗斯芯片突围遇阻 核心工程师大量流失 10月19日消息，隶属于俄罗斯“Element”集团的微电子设备科学研究所“进步”正面临严重工资拖欠问题：2026年7月起该所出现薪资延迟发放，至9月延迟已长达一个月，8月工资直到10月才发放，部分员工提交停工申请，部分未拿到薪资便选择离职，离职人员多为工程师、开发人员等技术骨干。该研究所是俄罗斯微电子设计领域重要机构，2026年1月已启动裁员。俄罗斯原定推进微电子国产化计划，规划2026年实现65纳米量产、2027年突破28纳米、2030年攻克14纳米，但截至2026年9月俄境内最先进晶圆厂制程仍停留在90纳米，受先进光刻机受限影响，该国微电子产业在资金、设备、人才三个维度同时承压。 发表于：2026/10/20 工控及新能源类产品收入占比过半，艾华集团启动再融资 2026年9月18日晚间，艾华集团披露定增预案，相关文件已于9月19日在上海证券交易所网站正式发布。拟向不超过 35 名特定投资者发行股份，募集资金总额不超过 18.8 亿元，其中 15 亿元用于一体化高端电容产能扩建项目，3.8 亿元用于补充流动资金。这是公司自 2015 年 IPO、2018 年发行可转债以来的首次再融资。 发表于：2026/10/20 2026Q4全球成熟制程晶圆代工产量利用率将达91% 10月19日，市场调研机构Sigmaintell最新发布的预测报告显示，受益于半导体原市场复苏与能源、材料成本上升，全球成熟制程晶圆代工厂在今年第四季平均产能利用率将高达91%。在成本压力与需求回温带动下，2027年第一季12英寸与8英寸成熟制程晶圆代工价格将全面调涨，预计环比增长4%至8%不等。 发表于：2026/10/20 机器人柔性传感器银浆导电材料选型：从材料到产线验证 在具身机器人嵌入式传感器的量产选型中，银浆线路导电材料的匹配度往往直接影响良率与长期可靠性。汉高旗下乐泰（LOCTITE）针对柔性基材上的导电线路，提供了可拉伸银浆、压力感应碳浆及配套材料方案。对采购和研发团队而言，判断“哪个产品适合量产”不能只看导电率，而需把印刷工艺、基材匹配、固化窗口和批次一致性放在一起评估。本文按信号传输、触觉感知和导电材料选型边界三个场景展开，帮助选型团队建立判断框架。 发表于：2026/10/20 SK海力士推出2万亿韩元定向支持半导体供应链厂商 10月19日，韩国存储芯片巨头SK海力士宣布，将携手韩国政府及主要银行，为本土半导体材料、零部件和设备供应商等供应链厂商提供总额2万亿韩元（约合15亿美元） 的贷款担保支持，以强化国内芯片供应链的稳定性。这是韩国政府“共生贸易金融”计划在半导体领域的首次落地，也是迄今为止以单一企业合作为基础的最大规模支持方案。 发表于：2026/10/20 告别备胎思维！长鑫剑指服务器高端市场，构建自主算力存力底座 受 AI 算力需求爆发拉动，全球 DRAM 行业景气度持续攀升，长鑫通过稳步推进产能建设与工艺升级，产能利用率保持高位运行，规模效应加速释放，营收与利润增速均领跑全球半导体同业。 发表于：2026/10/19 三季报预盈千亿｜长鑫LPDDR6、G5、4F²三步落子，国产DRAM弯道超车 数据显示，长鑫科技前三季度预计实现营收 2650 亿至 2700 亿元，同比增长超过 720%；归母净利润更是达到了惊人的 1310 亿至 1325 亿元。 发表于：2026/10/19 全球首创3公里高温超导带材产线于明年在上海投产 据上海超导公众号，10 月 18 日，正值上海超导成立十五周年之际，公司的二代高温超导带材及总部基地项目迎来关键节点 —— 主体建筑全面封顶。这标志着当前全球超导领域规划产能最大的项目，正式从建设阶段转入产线组装与设备调试阶段，也标志着公司将迈入大规模化工业制造新征程。 发表于：2026/10/19 AI服务器内存短缺恶化戴尔950亿美元订单积压 10月18日，戴尔科技首席执行官迈克尔·戴尔针对全球半导体供应形势发出警告，高带宽内存（HBM）和动态随机存取存储器（DRAM）供应紧张局面预计将在2027年进一步恶化，内存供应受限问题或持续长达四年，相关新增产能多要到2029年或2030年才能充分释放。 目前戴尔积压的企业级和AI服务器订单已达创纪录的950亿美元，订单向实际收入的转化高度依赖充足的内存芯片供应。为应对内存短缺，戴尔采用精简库存模式按需采购DRAM，同时与供应商签订长期供货协议，利用客户预付款提前锁定先进内存资源，同类应对方式也被三星电子、SK海力士等产业链企业广泛采用。 发表于：2026/10/19 三星与台积电联手开发3纳米基底芯片 10月19日消息，随着人工智能市场对高带宽内存（HBM）的需求不断攀升，英伟达正在推动一项前所未有的供应链整合计划。根据最新消息，英伟达为下一代AI加速器开发的定制高带宽内存NVHBM，将促使长期竞争的三星电子和台积电展开合作，共同打造基于3纳米工艺的基底芯片（Base Die）。 发表于：2026/10/19 长鑫科技前三季净利或达1325亿元 10月16日晚间，国产DRAM大厂长鑫科技发布了2026年前三季度业绩预告。预计营业收入约为人民币2650亿元至2700亿元，与上年同期相比，将增加 2,329.16亿元至2,379.16亿元。 发表于：2026/10/19 <12345678910…>
