EDA与制造相关文章 力积电回应将获美光1y纳米制程授权传闻 1月20日消息，近日有传闻称美光计划将其已经停产的1y纳米制程将授权给力积电。如果消息属实，这意味着力积电在美光科技的助力下，DDR4量产将如虎添翼，为后势运营注入增长动力。 发表于：2026/1/20 美国100%关税恐致全球内存价格进一步失控 1 月 20 日消息，2026 年 1 月 18 日在美光纽约工厂奠基仪式上，美国商务部部长霍华德 · 卢特尼克（Howard Lutnick）释放明确信号：存储芯片制造商要么选择在美国本土建厂，要么面临高达 100% 的惩罚性关税。 发表于：2026/1/20 消息称三星电子与SK海力士今年将缩减6.2%NAND闪存产量 1 月 20 日消息，韩媒《ChosunBiz》当地时间今日报道称，根据其从 Omdia 获取的数据，合计占据 NAND 产能 60+% 的两大原厂三星电子和 SK 海力士今年将缩减在闪存上的晶圆投片量，这可能会进一步加剧 NAND 供应的短缺。 发表于：2026/1/20 机械臂定位推荐：从算法验证到柔性控制，高精度动捕如何重塑工业“手眼”协同 在工业4.0与具身智能加速融合的今天，机械臂已不再局限于重复性的产线作业，而是向着更柔性、更智能、更精细的“类人”方向进化。然而，传统的关节编码器定位方案在应对柔性材料、人机协作及非结构化环境时，往往面临“盲区”。本文将深度解析光学动作捕捉技术在机械臂定位中的革命性应用，并结合NOKOV度量科技的实际案例，为您提供一份详尽的机械臂定位推荐与选型指南。 发表于：2026/1/20 英伟达H200被暂停入华后：PCB等所需组件已暂停生产 1月20日消息，据美国媒体最新报道称，在采取措施暂停H200芯片进入华后，H200的印刷电路板等关键组件的制造商已暂停生产。 发表于：2026/1/20 AI巨头买光未来3年DRAM产能 1月18日消息，根据TrendForce的内部数据显示，2026年数据中心（包括传统数据中心和人工智能数据中心）将消耗全球所有存储制造商2026年生产的高端存储芯片的70%以上。 发表于：2026/1/20 三星美国2nm晶圆厂下半年量产 1月19日消息，据据《韩国经济日报》报道称，三星电子位于美国德克萨斯州泰勒市的2nm晶圆厂计划于今年3月开始对EUV设备进行测试运行，还将陆续引进蚀刻和薄膜沉积设备，预计将在2026年下半年启动2nm制程的全面量产，月产能目标为5万片晶圆。 发表于：2026/1/20 HBF高带宽闪存有望随HBM6广泛应用 1月17日消息，韩国KAIST学者Kim Jung-Ho昨日在一场论坛研讨会上表示，尽管HBM高带宽内存从初代推出到走至半导体产业舞台中央花了近10年的时间，但HBF高带宽闪存的这一过程将更为迅速。继SK海力士后，三星电子也加入了闪迪首创的HBF技术阵营，三方正合作实现HBF的标准化。业内人士预测，HBF的带宽将超过1638GB/s（注：相当于PCIe 6.0×4的50倍），容量则将达到512GB。 发表于：2026/1/19 英特尔发文详解EMIB封装技术 1月18日消息，英特尔本周四对其EMIB（Embedded Multi-die Interconnect Bridge，嵌入式多芯片互连桥）技术与传统2.5D封装方案进行了对比，强调EMIB在成本、设计复杂度和系统灵活性等方面具备明显优势，更适合用于下一代先进封装芯片的设计与扩展。 发表于：2026/1/19 安世控制权案庭审：张学政缺席，分裂加速！ 近日，荷兰阿姆斯特丹上诉法院第10号法庭举行听证会，讨论是否应正式调查芯片制造商闻泰科技全资子公司安世半导体（Nexperia）涉嫌管理不善一案。此次听证会聚集了超过三十名律师和法律顾问、数十名记者。但是，安世半导体的前任CEO张学政并未到场。 发表于：2026/1/19 大摩：传统存储芯片短缺比市场预期更久 1月16日消息，知名投行摩根士丹利（Morgan Stanley）在最新的研究报告中指出，尽管市场对传统存储（Old Memory）仍存疑虑，但随着供需缺口进一步扩大，2025 年第二季至2026 年将迎接新一波超级周期。报告强调，DDR4、DDR3、NOR Flash 以及SLC/MLC NAND 等产品的供给吃紧状况正持续加剧，目前完全没有理由转向悲观。 发表于：2026/1/19 存储芯片商不在美国建厂 将面临100%关税！ 当地1月16日，在与中国台湾达成关税协议之后，美国商务部长霍华德·卢特尼克警告称，包括存储芯片制造商如果不在美国投资，可能面临“100%半导体关税”。虽然卢特尼克没有点名任何具体公司，但外界认为这主要是针对韩国和中国台湾，因为它们是全球最主要的半导体地，特别是韩国的三星电子和SK海力士这两个全球最大的存储芯片厂商。 发表于：2026/1/19 芯片制造核心装备 我国首台串列型高能氢离子注入机成功出束 中核集团中国原子能科学研究院自主研制的国内首台串列型高能氢离子注入机POWER-750H成功出束，核心指标达国际先进水平，标志我国掌握该装备全链路正向设计技术，打破国外垄断，补齐功率半导体制造关键短板，提升产业链自主可控能力。 发表于：2026/1/19 数据中心今年将吞噬70%内存芯片 1月18日消息，近日关于内存等存储芯片短缺的警报声此起彼伏，最新报告指出，2026年全球生产的内存中高达70%将被数据中心消耗。 发表于：2026/1/19 高精度轨迹跟踪与容错控制研究：腱驱动连续体机械臂新方案 南京理工大学郭毓教授团队在 ICRA 2025 上发表了关于腱驱动连续体机械臂（TDCM）的研究论文《Command Filtered Cartesian Impedance Control for Tendon Driven Continuum Manipulators with Actuator Fault Compensation》。本文提出结合阻抗控制与容错的创新方案，旨在解决 TDCM 在复杂环境中面临的高精度轨迹跟踪、柔顺力控以及执行器故障等挑战。在本研究中，NOKOV度量动作捕捉提供连续体机械臂的高精度实时位姿数据，为轨迹跟踪和容错控制实验验证提供可靠基础，确保科研结论可复现。 发表于：2026/1/19 <12345678910…>
