EDA与制造相关文章 美光:HBM内存消耗3倍晶圆量 美光:HBM 内存消耗 3 倍晶圆量,明年产能基本预定完毕 发表于:2024/3/22 意法半导体宣布联手三星推出18nm FD-SOI工艺 意法半导体宣布联手三星推出 18nm FD-SOI 工艺,支持嵌入式 PCM 发表于:2024/3/22 中国已连续8年成为世界最大工业机器人市场 远超预期 根据美国研究机构ITIF 3月最新分析,虽然美国产业创新享有盛誉,但在机器人创新方面,中国企业成为领先者只是时间问题。近年来在推动工厂数字化、智慧化之下,中国已连续8年成为全球最大的工业机器人市场。ITIF统计,中国目前机器人的应用比例是此前业内专家预测的12.5倍。 ITIF分析全球机器人创新数据,如科学论文和专利,并对四大中国机器人公司进行研究,同时与中国机器人产业全球专家进行访谈和会议。最终得出结论:中国当前尚未成为机器人创新的领导者,但其在国内生产和应用正在快速增长,中国政府也将发展机器人作为优先事项。因此,中国机器人公司达到世界领先地位可能只是时间问题。 发表于:2024/3/22 国产磁流体抛光机亮相,超精密光学加工不再被“卡脖子” 国产磁流体抛光机亮相,超精密光学加工不再被“卡脖子” 发表于:2024/3/22 新思科技携手英伟达释放下一代EDA潜能 加利福尼亚州桑尼维尔,2024年3月20日 – 新思科技(Synopsys, Inc.,纳斯达克股票代码:SNPS)近日宣布与英伟达(NVIDIA)强强联手,借助人工智能和加速计算技术大幅提升芯片设计效率,加速汽车原型创新。双方已合作三十余载,此次合作在英伟达全球GTC人工智能大会上正式宣布。 新思科技全球总裁兼首席执行官Sassine Ghazi表示:“新思科技长期致力于以全球领先的技术助力开发团队攻克各种前所未有的技术挑战。如今,我们将利用人工智能和加速计算等先进技术,将这一目标和承诺提升到一个全新高度。在英伟达GH200 Grace Hopper™超级芯片的加持下,新思科技EDA全套技术栈的性能显著提升。与此同时,我们与英伟达的全新合作也将助力芯片到汽车系统技术研发团队大幅提升团队的创新潜力。” 发表于:2024/3/21 格创东智完成AMHS收购签约 3月20日,格创东智AMHS业务启动暨产品发布会在SEMICON China 2024展会现场成功举行。会上,格创东智完成对耘德有限公司、江苏睿新库智能科技有限公司的战略收购签约。 发表于:2024/3/21 美国政府宣布计划向英特尔提供近200亿美元激励 3 月 20 日消息,美国商务部 3 月 20 日宣布,美国政府与英特尔达成一份不具约束力的初步条款备忘录(PMT),将根据美国《芯片与科学法案》向后者提供至多 85 亿美元(当前约 612 亿元人民币)直接资金和最高 110 亿美元(当前约 792 亿元人民币)贷款,以扩大其高端芯片制造产能。英特尔正寻求在芯片领域重新确立在美国的领导地位,并与台积电和三星等公司竞争。 发表于:2024/3/21 三星:最快2年夺回全球芯片市场第一 3月20日消息,据媒体报道,三星电子在周三举行的年度股东大会上放下豪言,表示目标是在最快2-3年内重新夺回全球芯片市场的第一位置。 据悉,三星电子计划在未来几年内通过一系列的战略举措来实现这一目标。 首先,三星预计公司的DS(Device Solutions)部门的销售额将在2024年恢复到2022年水平,这将为公司重返全球芯片市场第一奠定基础。 除了恢复销售额外,三星还宣布将在所有设备中广泛采用人工智能技术,通过提升人工智能能力,他们积极寻求涉足汽车零部件、机器人和数字健康领域的新业务。一。 发表于:2024/3/21 SEMI:300mm晶圆厂设备支出明年将首次突破1000亿美元 SEMI:300mm晶圆厂设备支出明年将首次突破1000亿美元 国际半导体产业协会(SEMI)3月19日发布《2027年300mm晶圆厂展望报告》。报告显示,由于存储器市场的复苏以及高性能计算、汽车应用的强劲需求,全球应用于前道工艺的300mm晶圆厂设备投资,预计将在2025年首次突破1000亿美元,2027年将达到创纪录的1370亿美元。 SEMI预测,2025年全球300mm晶圆厂设备投资将增长20%至1165亿美元,2026年增长12%至1305亿美元,2027年将将继续增长5%至1370亿美元。 发表于:2024/3/21 SEMICON China 2024|ASMPT携奥芯明展出先进半导体设备 2024年3月20日,中国上海——今天,国内领先的半导体设备供应商奥芯明亮相SEMICON China 2024。作为ASMPT全球技术网络的一部分,奥芯明以中国设备厂商的身份首次参加了本届SEMICON China。此次展会上,奥芯明携手ASMPT在N3馆展示了多款针对高质量、高精度芯片封装的先进设备。 发表于:2024/3/20 基于SIP技术的固态硬盘电路设计 存储系统小型化、高性能需求与日俱增,为此设计了一款基于SiP技术的固态硬盘电路,用于验证存储系统SiP电路的可行性。该SiP电路内部以SSD控制模块为核心处理单元,集成了用于数据存储的NAND颗粒、用于固件存储的SPI Flash以及电源管理等元器件。在搭建的软硬件平台上进行底层ATA指令验证以及与传统分离式存储系统的对比性能测试,证明了应用SiP技术的存储系统具备高性能、小型化、低功耗等诸多优势,为后续SiP存储系统的设计和验证奠定了一定的技术基础。 发表于:2024/3/20 Flash阵列无效块管理 Flash阵列在当今数据存储领域占据着重要地位,提高Flash阵列可靠性的关键在于提出合理的坏块管理方法。针对固有坏块,提出基于整合块的坏块管理方法和基于EEPROM查找表的坏块管理方法。对于在使用过程中出现的突发坏块,提出基于页跳过和页替换的突发坏块管理方法。经过实验分析表明坏块管理方法提高了NAND Flash数据存储的可靠性,在保证存储速度的情况下对NAND Flash存储空间得到最大化利用。 发表于:2024/3/20 亚智科技 RDL先进制程加速全球板级封装部署和生产 化学湿制程、电镀及自动化设备领导供应商Manz亚智科技,以RDL不断精进的工艺布局半导体封装市场。日前,Manz扩大RDL 研发版图,聚焦于高密度的玻璃通孔及内接导线金属化工艺,并将技术应用于下一代半导体封装的TGV玻璃芯基材,能够达到更高的封装效能及能源传递效率外,还可透过板级制程,满足高效率和大面积的生产,从而降低生产成本。 发表于:2024/3/20 消息称台积电今年着力提升3nm产能 3 月 19 日消息,据台媒《经济日报》报道,台积电今年将全力扩增 3nm 产能,预计年底前该工艺的利用率将提升至 80%。 台积电 3nm 制程技术已拿下苹果、高通、联发科等大厂的订单,业界预期台积电还将转移部分 5nm 产能至该节点以满足客户需求,这意味着台积电在 3nm 制程世代完胜三星、英特尔等竞争企业。 展望未来 2nm 制程世代,台积电预计将从 2025 年开始提供相关晶圆代工服务,总共涉及至少五座厂区。 台积电总裁魏哲家先前在财报会议上表示,全球主要大厂中仅有一家不是台积电 2nm 制程客户。外界推测这一客户指的是三星电子,但总体看来,台积电仍将在 2nm 制程世代占据优势。 发表于:2024/3/20 台积电和英特尔供应商推迟在美国亚利桑那州建厂 3 月 19 日消息,据日经新闻报道,由于建筑成本上升和劳动力短缺,台积电和英特尔的五家供应商推迟或缩减了其在亚利桑那州的建设项目。这一挫折与供应商最初的计划背道而驰,此前他们计划跟随英特尔和台积电在该州新建芯片生产设施的计划进行建设。 台积电和英特尔供应商推迟在美国亚利桑那州建厂 发表于:2024/3/20 «…234567891011…»